Post-doctorant en Optimisation de la technologie Ga2O3 pour la réalisation de composantes puissantes et caractérisation électrique de composants en GaN et Ga2O3 (H/F)

Description du Poste

Les Missions

- Recherche bibliographie sur les composants GaN à conduction latérale.
- Recherche bibliographie sur la technologie des composants Ga203.
- Réalisation d'une diode.
- Caractérisation électrique, DLTS, RAMAN, OBIC.
- Optimisation de la simulation à base d'éléments finis de la diode.

L'Activité

L’objectif du poste est de pouvoir avoir un premier composant de puissance en Ga203 à base d’une hétérojonction permettant à la fois de le caractériser électriquement, physiquement et optiquement afin de pouvoir trouver les paramètres optimaux pour la simulation à base d'éléments finis de composants Ga203 et d'identifier, quantifier les défauts dans le matériau.
Contributions originales attendues : Fabrication diode Schottky pour mesures OBIC (Optical Beam Induced current).
En parallèle de cela, le candidat devra être formé pour la caractérisation électrique des composants en GaN.

Votre Profil

Compétences

Maitriser en salle blanche les étapes de Photolithographie, Dépôt de couches minces métalliques, Caractérisation électriques à l’aide d’une SMU et/ou d’un curve tracer de type Keithley 4200 et/ou Keysight B1505, Programmation Python.

Votre Environnement de Travail

Le Ga203 est un semi-conducteur ultra grand gap. Il a les propriétés
physiques qui permettent de fabriquer des composants haute tension et fort courant pour des domaines tels que le smart grid. L'INL travaille depuis quelques années sur la caractérisation physique de ce matériau.
Aujourd'hui, la qualité de ce matériau nous permet d'entrevoir la fabrication de composants de puissance.
Mixer les compétences acquises sur Ga203 à l'INL, la salle blanche de l'INL et les compétences sur les composants de puissance à AMPERE permet de proposer ce sujet de thèse original en France. En Europe, aux Etats-unis, au Japon, des projets de recherche existent sur la réalisation de composants de puissance.
Le GaN est un semi-conducteur grand gap. La technologie est plus mâture que celle du Ga2O3. Aujourd’hui des composants de type transistors existent sur le marché. Tous les développements ont lieu pour des composants à conduction latérale. Le projet PEPR VERTIGO quant à lui propose une alternative de composants en GaN mais à conduction verticale.

En rejoignant le laboratoire AMPERE, vous intégrerez une unité de recherche implantée sur quatre sites et reconnue pour son expertise en ingénierie et en technologies. Ses travaux portent notamment sur la gestion et l'utilisation raisonnée de l'énergie au sein de systèmes en interaction avec leur environnement.
Le laboratoire se distingue en particulier par son expertise dans le domaine des biopiles microbiennes appliquées au traitement des effluents et à la production d'énergie. Cette excellence repose sur une forte interdisciplinarité, associant des compétences en bio-ingénierie, électrochimie, microbiologie et génie électrique.
Le laboratoire AMPERE rassemble près de 210 membres, chercheurs, enseignants-chercheurs, ingénieurs, techniciens et doctorants, mobilisés autour de projets de recherche ambitieux et d'innovations de pointe.

Contraintes et risques

Risques électriques et Chimiques.

Rémunération et avantages

Rémunération

A partir de 3.071 € brut mensuel selon expérience

Congés et RTT annuels

44 jours

Pratique et Indemnisation du TT

Pratique et indemnisation du TT

Transport

Prise en charge à 75% du coût et forfait mobilité durable jusqu’à 300€

À propos de l’offre

À propos du CNRS

Le CNRS est un acteur majeur de la recherche fondamentale à une échelle mondiale. Le CNRS est le seul organisme français actif dans tous les domaines scientifiques. Sa position unique de multi-spécialiste lui permet d’associer les différentes disciplines pour affronter les défis les plus importants du monde contemporain, en lien avec les acteurs du changement.

Le CNRS

Les métiers de la recherche