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Caractérisation avancée des interfaces de transistors HEMT pour l'électronique de puissance : corrélation entre propriétés chimiques, structurales et électriques (H/F)

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : jeudi 19 août 2021

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Informations générales

Référence : UMR8180-MURBOU-002
Lieu de travail : VERSAILLES
Date de publication : jeudi 17 juin 2021
Nom du responsable scientifique : Muriel Bouttemy
Type de contrat : CDD Doctorant/Contrat doctoral
Durée du contrat : 36 mois
Date de début de la thèse : 1 octobre 2021
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 2 135,00 € brut mensuel

Description du sujet de thèse

La filière nitrure de gallium (GaN) est une filière stratégique car elle permet notamment d'améliorer la puissance et le rendement des systèmes de radars à antennes actives et des systèmes de guerre électronique. Cette technologie permettra de couvrir la gamme d'ondes millimétriques jusqu'à une fréquence d'opération de 94 GHz, et ouvrira donc un champ d'applications de fonctionnalités nouvelles sans précédent aussi bien dans le domaine militaire (tels que les radars à antenne active fonctionnant sur les bandes de fréquence 8-40 GHz pour la détection de cibles), que pour le civil tels que les futures télécommunications 5G. Il est important de noter qu'aucune technologie GaN délivrant de forte puissance au-delà de 40 GHz n'est disponible actuellement au niveau mondial. Les principales limitations sont les rendements en puissance ajoutée (PAE), la maitrise des effets de pièges ainsi que la fiabilité de ce type de composants ultracourts à grille sub-150 nm. Ce projet intitulé GREAT (« High frequency GaN electronic ») rassemble des laboratoires académiques et deux partenaires industriels (UMS et SOITEC) et contribuera donc à l'émergence d'une nouvelle technologie dans ce domaine stratégique.
Le sujet de cette thèse s'inscrit dans ce contexte et capitalise sur les résultats d'études préliminaires notamment au sein du réseau national Labex GaNeXT et sur les acquis méthodologiques de l'ILV à Versailles (Institut Lavoisier de Versailles), laboratoire où se déroulera en grande partie cette thèse. Elle se déroulera en cotutelle avec l'IEMN à Lille (fabrication de structures et composants avec/sans stress électrique, caractérisation électriques, préparation de lames FIB) et en collaboration avec le C2N à Palaiseau (préparation de lames FIB, TEM/STEM). Cette thèse est dédiée à l'analyse des matériaux et composants générés dans le cadre du projet GREAT. Elle aura pour objectif de développer une nouvelle méthodologie d'analyse chimique et structurale robuste au cœur de laquelle se trouve la spectroscopie Auger en sonde localisée (5 équipements en France). Les travaux se focaliseront, en particulier, sur l'analyse des croissances, les interfaces métal / semi-conducteur, passivation / semi-conducteur et entre les couches de passivation, et ce afin d'améliorer les performances électriques de ces dispositifs. En effet, l'essentiel des problématiques liées aux mécanismes de dégradation des transistors GaN réside dans la dégradation des interfaces ayant subi un pic de champ électrique et/ou un pic de température. De même, les courants de fuite ainsi que les mécanismes de piégeage localisés en surface des composants sont directement liés aux états chimiques situés à l'interface passivation / semiconducteur. Le challenge réside dans l'accès aux différentes zones critiques qui influencent la réponse électrique du composant et ses performances qui est essentiel pour mieux comprendre la physico-chimie des interfaces de ces composants.

Le programme de cette thèse se décline en 4 axes de recherche :
1- Développement d'une méthode de préparation des échantillons pour accéder aux zones d'intérêt en préservant leur intégrité chimique et structurale
Différentes méthodes de préparation seront évaluées pour accéder aux interfaces depuis la surface et en accès direct en section. Un travail important sera réalisé sur la préparation FIB.
2- Calibration de l'analyse chimique Auger (quantification des résultats et détermination des environnement chimiques)
Cette calibration sera réalisée par une approche multi-techniques (XPS, SIMS, STEM-EDS…)
3- Détermination des capacités et de la sensibilité de l'Auger pour renseigner sur la chimie des surfaces et interfaces et corrélation avec les mesures électriques
Il s'agira ici d'éprouver cette méthodologie sur des cas concrets constitués de structures tests définies (variantes technologiques et différents stress électriques).
4- Application de cette technique pour l'aide à l'étude de dérive de la filière de composants GaN sur des cas réels issus du projet GREAT et du partenaire industriel.

Les deux premiers axes d'étude sont essentiels pour assurer la fiabilité des données obtenues avant d'employer l'Auger en sonde localisée sur des composants tests et réels.

• Compétences à acquérir pendant la thèse :
- Théorie et pratique des spectroscopies électroniques Auger et XPS
- Théorie et exploitation des analyses des données SIMS
- Interaction faisceau d'ions /matières (préparation des sections transverses par de lames FIB et polisseur ionique)
- Théorie et exploitation des analyses TEM et STEM
- Caractérisations électriques de composants (mesures en régime statique et dynamique des transistors : IV DC et pulsé, paramètres S, puissance, gain ; PAE)
- Gestion de projet et restitution des résultats à l'oral et à l'écrit (réunions du projet et présentations lors de conférences)

• Compétences nécessaires :
- Chimie analytique
- Physico-chimie des matériaux
- Microélectronique
- Maîtrise de l'anglais

Contexte de travail

Cette thèse (Université Paris-Saclay) se déroulera en cotutelle entre l'ILV et l'IEMN, avec pour autre partenaire académique privilégié le C2N et 2 partenaires industriels. La thèse se déroulera principalement à l'ILV mais le(la) doctorant(e) sera amené(e) à se déplacer entre ces trois laboratoires.

L'Institut Lavoisier de Versailles (http://www.ilv.uvsq.fr/) est une Unité Mixte de Recherche UVSQ-CNRS (Université de Versailles-Saint Quentin). Les effectifs du laboratoire sont de 100 personnes divisés sur 3 équipes de recherche : 54 personnels permanents (10 chercheurs CNRS, 8 ITA CNRS, 33 enseignants-chercheurs UVSQ, 3 BIATSS UVSQ, 1 DR CNRS émérite, 1 DR invité, 4 doctorants, post-doctorants et ATER). Cette UMR se caractérise par sa pluridisciplinarité, explorant des thématiques très diverses, qui vont de la chimie des matériaux moléculaires ou poreux (équipe MIM_Molécules, Interactions et Matériaux), à la chimie organique de synthèse (équipe SORG_Synthèse Organique), en passant par l'électrochimie interfaciale (équipe EPI_Électrochimie Physicochimie aux Interfaces). Trois mots clés caractérisent donc l'unité : synthèse (matériaux semi-conducteurs, organique, poreux, inorganiques moléculaires…), propriétés (physico-chimiques, biologiques, catalytiques…) et analyse. Cette thèse se déroulera au sein de l'équipe EPI et s'appuiera sur les moyens de caractérisation du CEFS2 (Centre d'Etude et de Formation en Spectroscopies électroniques de Surfaces), rattaché au groupe.

L'Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) regroupe dans une structure unique l'essentiel de la recherche régionale dans un vaste domaine scientifique allant des nanosciences à l'instrumentation.
Faire travailler ensemble des chercheurs ayant des cultures, des démarches et des motivations différentes, construire une continuité de connaissances allant des problèmes fondamentaux aux applications fait aujourd'hui notre spécificité. Aujourd'hui, près de 500 personnes, dont une centaine de chercheurs internationaux, travaillent ensemble.
Le cœur de nos activités est centré sur les micros et nanotechnologies et leurs applications dans les domaines de l'information, la communication, les transports et la santé. Nos chercheurs ont à leur disposition des moyens expérimentaux exceptionnels, en particulier des centrales de technologie et de caractérisation dont les possibilités et les performances se situent au meilleur niveau européen. L'IEMN fait partie du réseau des grandes centrales de technologie RENATECH.
Notre politique scientifique consiste non seulement à l'approfondissement des connaissances mais également à l'établissement d'un partenariat privilégié avec des industriels leaders sur leurs marchés et au développement d'un partenariat de proximité avec les ETI et PME régionales et les jeunes pousses issues de l'IEMN.

Le Centre des Nanosciences et Nanotechnologies (C2N) est une unité de recherche commune entre le CNRS et l'Université Paris-Saclay, qui compte plus de 380 membres. Né de la fusion du Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (LPN) et de l'Institut d'Electronique Fondamentale (IEF), le laboratoire a déménagé dans un nouveau bâtiment au cœur du Campus Paris-Saclay en 2018.
Sa création s'inscrit dans une perspective ambitieuse. Le laboratoire bénéficie de la localisation très favorable du Plateau de Saclay, pour des échanges avec les laboratoires académiques et avec la R&D du pôle industriel local. Il rassemble des forces critiques sur des axes de recherche clés et répond à deux objectifs principaux indissociables : (i) créer un laboratoire phare pour la recherche en nanosciences et nanotechnologies ; (ii) doter le plateau de Saclay et la région Ile-de-France d'une grande infrastructure technologique, ouverte à tous les acteurs académiques et industriels du domaine, notamment ceux de la région parisienne. Le C2N comprend quatre départements de recherche : Photonique, Nanoélectronique, Matériaux, Microsystèmes et Nanobiofluidique. Explorant la physique et la technologie à l'échelle nanométrique, le laboratoire combine recherche fondamentale et appliquée pour des applications à court ou moyen terme.

Contraintes et risques

Afin de bénéficier des compétences et savoir-faire des aux 3 laboratoires, ILV, IEMN et C2N, des déplacements sont à prévoir entre ces 3 sites.

Cette thèse s'inscrit dans le cadre d'une convention entre DGA et CNRS sur un projet de recherche qui inclut 2 partenaires industriels. Des règles de confidentialité seront donc à respecter.

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