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PostDoc: Simulation ab initio du dopage photo-induit dans le hBN (H/F)

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
- Français-- Anglais

Date Limite Candidature : jeudi 11 décembre 2025 23:59:00 heure de Paris

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Informations générales

Intitulé de l'offre : PostDoc: Simulation ab initio du dopage photo-induit dans le hBN (H/F)
Référence : UMR8023-GIOFUG-002
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : PARIS 05
Date de publication : jeudi 20 novembre 2025
Type de contrat : Chercheur en contrat CDD
Durée du contrat : 24 mois
Date d'embauche prévue : 1 février 2026
Quotité de travail : Complet
Rémunération : 3131€ à 4806€ brut mensuel selon expérience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années
Section(s) CN : 03 - Matière condensée : structures et propriétés électroniques

Missions

Le projet s’inscrit dans le cadre de l’ANR BIRD – Photoinduced doping in hexagonal boron nitride for deep UVC application. Le/la postdoctorant(e) travaillera dans la modelisation ab initio pour §comprendre, à l’échelle atomique, l’origine du phénomène de photoconductivité persistante dans le hBN et pour concevoir / orienter la croissance du hBN pour maximiser cet effet de dopage photo-induit.

Activités

Le/la postdoctorant(e) mettra en œuvre des calculs ab initio avec QuantumESPRESSO/EPW/YAMBO/VASP sur des supercellules de hBN contenant divers défauts afin d’évaluer leurs énergies de formation, couplages électron–phonon et propriétés optiques, et d’identifier ceux responsables de la photoconductivité persistante, en lien direct avec la caractérisation spectrale UVC .
Rédaction d'articles. - Participation aux activités de l'équipe (séminaires, groupes de travail,...) et à des colloques internationaux.

Compétences

Le/a candidat/e devra avoir une thèse en physique/ en chimie/science de matériaux. Des compétences en calcul théorique (ab initio, DF(P)T, GW) seront appréciées. Le candidat ou la candidate mènera un travail collaboratif et devra montrer de bonnes dispositions au travail en équipe ainsi qu’une bonne autonomie.

Contexte de travail

Le travail sera fait à Paris dans le laboratoire de Physique de l'ENS, une unité mixte de recherche de l’École Normale Supérieure de Paris, du CNRS, Sorbonne Université et l’Université Paris Cité Le travail fait partie d'un projet national ANR Photoinduced doping in hexagonal boron nitride for deep UVC application – BIRD https://anr.fr/Project-ANR-24-CE08-3820