Informations générales
Intitulé de l'offre : Ingénieur.e d'études H/F: Dispositifs optoélectronique à haute vitesse
Référence : UMR8023-ANGVAS-016
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : PARIS 05
Date de publication : lundi 6 octobre 2025
Type de contrat : IT en contrat CDD
Durée du contrat : 5 mois
Date d'embauche prévue : 1 novembre 2025
Quotité de travail : Complet
Rémunération : Entre 2500 et 3500 Euros selon expérience
Niveau d'études souhaité : BAC+3/4
Expérience souhaitée : Indifférent
BAP : C - Sciences de l'Ingénieur et instrumentation scientifique
Emploi type : Ingenieure ou ingenieur en conception instrumentale
Missions
Le/la candidat(e) participera activement au développement de dispositifs optoélectroniques à haute vitesse dans le cadre du projet pre-maturation Hi-QFACTOR.
Il/elle sera en charge de la conception, de la fabrication et de l’intégration de composants photoniques dans le moyen infrarouge, en vue de réaliser un premier prototype à haut rapport signal/bruit destiné au transfert technologique.
Activités
• Fabriquer en salle blanche des dispositifs (photodétecteurs et modulateurs MIR).
• Contribuer à l’amélioration de la conception (design optique et électrique) pour optimiser les performances haute fréquence (jusqu’à 10 GHz).
• Intégrer un amplificateur électronique directement sur le détecteur afin d’améliorer le rapport signal/bruit et les performances globales du système.
• Effectuer des caractérisations optiques et électriques (responsivité, profondeur de modulation, bande passante, bruit).
• Réaliser un premier packaging simple avec circuit RF intégré pour obtenir un prototype fonctionnel en vue d’un transfert technologique.
• Analyser et interpréter les résultats expérimentaux, rédiger des rapports et publications.
Compétences
• Formation : Doctorat ou Master 2 / diplôme d’ingénieur en physique, optoélectronique, photonique ou micro/nano-fabrication.
• Connaissances en physique des semi-conducteurs et en conception de dispositifs optoélectroniques.
• Expérience en caractérisation haute fréquence (RF, optique) souhaitée.
• Notions en électronique (amplificateurs, circuits RF) appréciées.
• Capacité à travailler à l’interface entre conception, fabrication et intégration système.
• Autonomie, rigueur et aptitude à collaborer en équipe multidisciplinaire.
• Bon niveau de communication en anglais et français.
Contexte de travail
Le poste est basé au Laboratoire de Physique de l’ENS (LPENS), au sein du groupe QUAD.
Le projet Hi-QFACTOR vise à développer une nouvelle génération de dispositifs optoélectroniques MIR à haute vitesse et température ambiante, avec des applications dans les télécommunications en espace libre, la détection de gaz et le biomédical.
Le/la candidat(e) travaillera dans un environnement riche et collaboratif, avec un fort accent sur la valorisation technologique et le transfert industriel.
Contraintes et risques
Risque chimique associé à la fabrication en salle blanche