Informations générales
Intitulé de l'offre : Ingénieur de recherche (H/F) : Caractérisation électrique dispersive et modélisation des composants HEMT GaN
Référence : UMR7252-RAPSOM-007
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail :
Date de publication : jeudi 3 octobre 2024
Type de contrat : CDD Technique/Administratif
Durée du contrat : 4 mois
Date d'embauche prévue : 4 novembre 2024
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : Rémunération minimum 2847,42€
Niveau d'études souhaité : Niveau 7 - (Bac+5 et plus)
Expérience souhaitée : 1 à 4 années
BAP : Sciences de l'Ingénieur et instrumentation scientifique
Emploi type : Expert-e électronicien-ne
Missions
Les missions relatives à ce travail consistent à réaliser des caractérisations et une modélisation électrique dispersive des transistors.
La caractérisation électrique des transistors repose essentiellement sur l'étude des phénomènes basse fréquences parasites que sont les pièges et les effets thermiques ainsi que la caractérisation et modélisation RF du composant.
Le développement d'un modèle physique analytique intégrable sur la base du modèle ASM en le modifiant par la prise en compte réaliste de certains effets physiques (thermiques et pièges) permettant d'améliorer la validité des modèles et leur précision.
Ce modèle est à mi-chemin entre le modèle purement physique et un modèle basé sur un circuit électrique équivalent. Son intérêt est de pouvoir prendre en compte des phénomènes physiques plus précis (field plate, pièges, effets de la vitesse de saturation, effets des résistances d'accès, effet d'abaissement de la barrière induite par le drain (DIBL), modulation de la longueur du canal, dépendance en température, ...), tout en permettant des temps de simulation non prohibitifs.
Activités
-recherche et modélisation physique de composants HEMT GaN
-mesures dispersives de composants HEMT GaN : thermique et pièges
-recherche en modélisation physique de type ASM-HEMT ou dérivée
Compétences
-compétences en physique des semiconducteurs, transport de charges
-compétences en modélisation multiphysique type éléments finis
-connaissance des outils de types ANSYS, COMSOL
-connaissance des matériaux grand gap de type GaN, SiC
-compétences en caractérisations électriques de composants
Contexte de travail
Le travail s'effectuera dans le cadre du projet de recherche DGA/CNRS GREAT qui consiste à développer des modèles de composants pour les futures filières de HEMT GaN. Le poste est situé sur le site XLIM à Brive la Gaillarde
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
Contraintes et risques
sans objet