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Portail > Offres > Offre UMR5129-ERWPAR-006 - Postdoc (H/F) pour le développement de procédés plasma pulsé du GaN pour des applications puissance

Postdoc (H/F) pour le développement de procédés plasma pulsé du GaN pour des applications puissance

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : lundi 13 février 2023

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Informations générales

Référence : UMR5129-ERWPAR-006
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : GRENOBLE
Date de publication : vendredi 13 janvier 2023
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 avril 2023
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : Entre 2805 et 4140 € bruts mensuels selon expérience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 5 à 10 années

Missions

Ce travail s'inscrit dans le contexte d'un projet des collectivités locales Nano 2026. L'objectif global du projet est de permettre la maturation des technologies GaN sur Si pour réaliser un transistor à haute mobilité électronique (HEMT)pour des applications de puissance. Le verrou technologique aujourd'hui est la densité de pièges trop élevée à l'interface diélectrique/semiconducteur III-V. Une des étapes identifiées comme critique pour cette densité de pièges est la gravure par plasma du GaN. L'objectif de ce postdoc est de développer un procédé de gravure plasma qui n'endommage pas le GaN. Une piste prometteuse pour atteindre cette objectif est d'utiliser les technologies de plasma pulsé, disponibles au LTM/CNRS, qui offrent une multitude de possibilité pour structurer la matière sans dommage

Activités

Le travail sera réalisé sur le réacteurs de gravure 300mm du LTM localisé dans les salles blanches du CEA/Leti, et équipé des technologies de plasma pulsé .
-Développement et caractérisation de procédés de gravure en plasma pulsé de GaN
-Caractérisation des surfaces de GaN après gravure par XPS, AFM et cathodoluminescence
-Réalisation d'une capacité MOS pour tester électriquement les dommages générés par la plasma
-Valorisation des résultats sous forme d'articles ou de communications à des conférences

Compétences

1)Connaissances théoriques: mécanismes de gravure par plasma, physique des semiconducteurs III-V, sciences des matériaux
2) Compétences techniques:
-Procédés de gravure plasma,
-Diagnostics plasma (spectro de masse, sonde de flux..), -Caractérisation physicochimique des matériaux (ellipsométrie, XPS, FTIR..)
-Caractérisation électrique I-V
3) Compétences de valorisation des résultats par rédaction d'aricles ou présentation à des conférences
4) autres compétences: anglais écrit/parlé, connaissance en programmation Matlab

Contexte de travail

Ce travail sera effectué au Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (LTM), unité mixte de recherche du CNRS et de l'Université Grenoble Alpes (UGA) (UMR 5129) situé sur le site du CEA-LETI-MINATEC à Grenoble. Une centaine de personnes travaillent au LTM : 30 Chercheurs ou enseignants chercheurs, 18 Ingénieurs et Techniciens, 31 doctorants et 16 post doc. Les activités du laboratoire se positionnent à la frontière entre recherche académique amont et recherche industrielle. Le LTM a ainsi développé au fil des années plusieurs partenariats directs avec différents acteurs de l'industrie micro/nanoélectronique notamment STMicroelectroniques à Crolles et Applied Materials à SAnta Clara (USA). Le candidat rejoindra le pôle « PROSPECT » du LTM. Ce département vise le développement de procédés et matériaux innovants pour les dispositifs avancés de la nano/optoélectronique.

Contraintes et risques

travail en salle blanche

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