Informations générales
Intitulé de l'offre : Post Doctorant IRL Georgia Tech - CNRS en croissance de couches phase vapeur aux organométalliques (MOVPE) H/F
Référence : IRL2958-CRICOR-016
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : METZ
Date de publication : mardi 1 octobre 2024
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 18 novembre 2024
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 2991,58 € bruts mensuels selon expérience
Niveau d'études souhaité : Niveau 8 - (Doctorat)
Expérience souhaitée : Indifférent
Section(s) CN : Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique
Missions
Ce poste postdoctoral s'inscrit dans le cadre du projet Carnot . L'objectif de ce projet est de développer une méthode novatrice pour la croissance et le transfert de couches épaisses de nitrure de gallium (GaN) sur des substrats métalliques, pour des applications en électronique de puissance.
Activités
La croissance de GaN sur des substrats d'Al2O3 ou de Si entraîne des couches fortement contraintes et contenant de nombreux défauts. Par conséquent, une approche différente est proposée, consistant à utiliser des pseudo-substrats de hBN/Al2O3 pour la croissance de couches épaisses de GaN et leur transfert sur des substrats métalliques.
L'objectif de ce poste est d'étudier la croissance de couches épaisses de GaN par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOVPE) sur des pseudo-substrats de hBN/Al2O3. Le candidat examinera différents paramètres de croissance ainsi que la contrainte dans les couches épitaxiées.
Compétences
Le candidat idéal doit être titulaire d'un doctorat en ingénierie, en physique ou en science des matériaux, avec une expérience en Épitaxie MOVPE et caractérisations.
Contexte de travail
IRL 2958 Georgia Tech - CNRS
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
Contraintes et risques
Travail dans un environnement bilingue
Travail Experimental en manipulant des gaz neutre (H2 et N2) et actifs (Organometalliques, Hydrures)
Informations complémentaires
L'objectif de ce poste est d'étudier la croissance de couches épaisses de GaN par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOVPE) sur des pseudo-substrats de hBN/Al2O3. Le candidat examinera différents paramètres de croissance ainsi que la contrainte dans les couches épitaxiées.