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Assistant-e Ingénieur-e en élaboration et caractérisation de films minces métalliques et diélectriques H/F


Date Limite Candidature : jeudi 16 janvier 2025 17:00:00 heure de Paris

Informations générales

Réservé uniquement aux agents CNRS (fonctionnaires et CDI)
Intitulé de l'offre : Assistant-e Ingénieur-e en élaboration et caractérisation de films minces métalliques et diélectriques H/F
Référence : UMR9001-MOBINT-J51010
Lieu de travail : PALAISEAU
Institut : INP - Institut de physique
Date de publication : mercredi 4 décembre 2024
Session : Campagne Hiver 2025
Groupe de Fonction : AIG2
BAP : B - Sciences chimiques et Sciences des matériaux
Emploi type : Assistant-e ingénieu-e en élaboration de matériaux en couches minces

Missions

Élaborer et caractériser des films minces métalliques et diélectriques. Assurer le fonctionnement et la maintenance et l'évolution technique d'équipements de dépôt sous vide de films minces diélectriques et métalliques.
Assurer la formation des utilisateurs sur ces équipements.

Activités

Elle/Il élabore des couches minces diélectriques et métalliques pour les activités scientifiques du C2N et pour les partenaires/utilisateurs académiques et industriels externes. Elle/Il détermine les conditions expérimentales permettant d'obtenir les propriétés recherchées.
Elle/Il se charge notamment :
- d'élaborer des couches minces par la technique la mieux adaptée suivant la demande (évaporation, pulvérisation, PECVD dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma¿)
- de caractériser des couches minces par la technique la mieux adaptée suivant la demande (MEB microscope électronique à balayage, microscopie optique, profilométrie mécanique,...)
- de mettre au point les conditions de dépôt pour obtenir les propriétés des matériaux recherchées
- de former les utilisateurs sur les bâtis de dépôts de diélectriques et de métaux dont elle/il a la charge
- de former des utilisateurs aux risques associés aux équipements dont elle/il a la charge
- de suivre la maintenance de 2 équipements de pulvérisation cathodique de métaux, d'un équipement de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) de diélectriques et d'un équipement de dépôt de parylène dont elle/il a la responsabilité
- de diagnostiquer et de traiter des anomalies de fonctionnement de premier niveau
- d'interagir avec les équipementiers pour la gestion de pannes et maintenances
- de commander le matériel relatif au fonctionnement ou à la réparation des équipements
- de gérer des stocks de matériel et de pièces détachées
- de faire évoluer ces équipements
- de rédiger des notes techniques, renseigner des cahiers d'expériences numériques et outils en ligne de gestion d'équipements
- d'assurer une veille technologique - participer à une activité de service dans le cadre de demandes de prestations de services et/ou tâches collectives
- prendre part à des projets de recherche de l'Unité ou partenaires académiques ou industriels externes dans son cœur de métier.

Compétences

- Connaissance approfondie des techniques du vide, de l`ultra-vide et de la manipulation des gaz sous haute pression (pompage, étanchéité, mesure de basse pression, détection de fuite)
- Connaissance approfondie sur l'élaboration des couches minces (PECVD, pulvérisation, canon à électrons, effet joule...)
- Connaissance générale de la physique et de la chimie des matériaux
- Connaissance générale des procédés de dépôts/croissances
- Notion sur les techniques complémentaires de réalisation de dispositifs (lithographie, gravure...)
- Connaissance générale des méthodes de caractérisation des matériaux (optique, électrique, structurale)

- Savoir diagnostiquer et traiter les anomalies de fonctionnement des équipements
- Préparer et calibrer les équipements
- Mettre en œuvre les techniques adaptées au besoin de l¿élaboration de composants
- Assurer la maintenance courante des équipements
- Travailler en interaction avec les utilisateurs des équipements de dépôts
- Maîtriser les normes de sécurité relatives aux équipements
- Appliquer une démarche qualité dans la production des résultats
- Être en capacité de rédiger des notes techniques, supports de formation
- Maitriser les outils bureautiques courants (Word, Excel, PowerPoint)
Savoir-être :
- Esprit d'équipe / Sens du collectif et du service aux utilisateurs
- Rigueur et fiabilité dans l'exécution des tâches
- Réactivité, dynamisme et disponibilité
- Capacité d'adaptation
- Sens de l'organisation

- Langues : Anglais
Compréhension écrite et orale : niveau B2. Expression écrite et orale : niveau B2

Contexte de travail

Le C2N, Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies est une unité mixte de recherche du CNRS, de l'Université Paris Saclay et de l'Université Paris Cité. Constitué d'environ 400 personnes, le laboratoire est situé sur le plateau de Saclay à Palaiseau. Les thématiques de recherche du C2N sont la photonique, la nanoélectronique, les microsystèmes et la nanobiofluidique et les matériaux.
L'agent sera affectée/é dans la Plateforme d'Innovation en Micro Et NanoTechnologies (PIMENT) du C2N, constituée d¿une équipe technique actuelle de 26 Ingénieurs-es et Techniciens-ciennes. La plateforme PIMENT a pour mission principale le développement, l'exploitation et l'assistance aux besoins de réalisations en micro- nano- fabrication des objets d'études de l'unité et plus largement de la communauté scientifique et industrielle, via notamment le réseau national des Grandes Centrales de Technologie RENATECH. Elle est organisée en 10 ressources technologiques regroupant les techniques de lithographies optiques de nanolithographie et de lithographie alternative, les dépôts métalliques et dépôts diélectriques et traitements thermiques, la gravure sèche et la gravure chimique et l'électrochimie, la caractérisation par microscopie électronique et champs proche, la caractérisation physico-chimique et le back-end.
L'agent exercera ses activités dans les ressources dépôts métalliques et dépôts diélectriques. Elle/il évoluera sous la responsabilité hiérarchique de la direction technique de la plateforme.
Au-delà de son activité dans ses ressources de rattachement, elle/il prendra part à des projets transversaux de l'Unité et/ou exogènes.