Offre de thèse : Nouveau dispositif électronique de puissance en GaN supportant des tensions supérieures à 1200V (H/F)
Nouveau
- CDD Doctorant
- 36 mois
- BAC+5
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Cette offre est ouverte aux personnes disposant d’un titre leur reconnaissant la qualité de travailleur handicapé ou travailleuse handicapée.
L'offre en un coup d'oeil
L'unité
Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes
Type de Contrat
CDD Doctorant
Temps de Travail
Complet
Lieu de Travail
31031 TOULOUSE
Durée du contrat
36 mois
Date d'Embauche
01/09/2026
Rémuneration
La rémunération est d'un minimum de 2300,00 € mensuel
Postuler Date limite de candidature : mardi 16 juin 2026 23:59
Description du Poste
Sujet De Thèse
Les matériaux nitrures d’éléments (III-N) dont fait partie le GaN constituent aujourd’hui la seconde famille de semiconducteurs utilisés après le silicium. Ces semiconducteurs à large bande interdite sont désormais présents dans différents types de composants pour l’éclairage et l’affichage (LEDs), le stockage de données (diodes laser), les applications hyperfréquences (transistors HEMT RF), et des nouveaux composants (transistors, diodes) sont développés pour convertir l’énergie électrique. Pour réduire les coûts de fabrication de ces dispositifs, il est essentiel de pouvoir intégrer ces matériaux dans les filières de la microélectronique "silicium" afin de bénéficier de ses avantages et notamment de la disponibilité d’outils de fabrication capables de traiter des substrats de grande taille. Cependant, la synthèse du matériau GaN par hétéro-épitaxie sur des substrats de silicium se heurte à de nombreuses difficultés qui limitent sévèrement les degrés de liberté dans le design des empilements de matériaux pour réaliser des composants et, par conséquent, la qualité des matériaux et les performances des dispositifs.
Dans ce contexte, notre objectif est de concevoir, fabriquer et caractériser des transistor HEMT GaN normally-off opérant à des tensions supérieures à 1200 V. Le candidat(e) recruté(e) prendra en charge la mise au point de ce dispositif novateur en s’appuyant sur l’expertise et le savoir-faire disponibles aux laboratoires LN2 et LAAS. Il (Elle) doit être très motivé(e) par la recherche expérimentale et avoir de bonnes bases de la physique des composants et des semiconducteurs. Il (Elle) doit être autonome, avoir le sens de l’expérimentation et du travail en équipe.
Votre Environnement de Travail
Cette thèse est une formation en cotutelle entre l’université de Toulouse (France) sous la supervision du Pr. Frédéric Morancho et l’université de Sherbrooke (Canada) sous la supervision du Pr. Hassan Maher. Les travaux de recherche prévus dans le cadre de cette thèse auront lieu aux laboratoires CNRS, LAAS et au LN2. Le candidat sera amené à travailler en alternance sur les deux sites. Les frais de déplacement entre les deux laboratoires seront couverts par le projet.
Rémunération et avantages
Rémunération
La rémunération est d'un minimum de 2300,00 € mensuel
Congés et RTT annuels
44 jours
Pratique et Indemnisation du TT
Pratique et indemnisation du TT
Transport
Prise en charge à 75% du coût et forfait mobilité durable jusqu’à 300€
À propos de l’offre
| Référence de l’offre | UPR8001-FREMOR-020 |
|---|---|
| Section(s) CN / Domaine de recherche | Micro- et nanotechnologies, micro- et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique |
À propos du CNRS
Le CNRS est un acteur majeur de la recherche fondamentale à une échelle mondiale. Le CNRS est le seul organisme français actif dans tous les domaines scientifiques. Sa position unique de multi-spécialiste lui permet d’associer les différentes disciplines pour affronter les défis les plus importants du monde contemporain, en lien avec les acteurs du changement.
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