En poursuivant votre navigation sur ce site, vous acceptez le dépôt de cookies dans votre navigateur. (En savoir plus)

H/F Thèse en Conception et réalisation de composants de puissance GaN sur substrats SiC hybrides pour les applications en gamme d'onde millimétrique

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : lundi 17 mai 2021

Assurez-vous que votre profil candidat soit correctement renseigné avant de postuler. Les informations de votre profil complètent celles associées à chaque candidature. Afin d’augmenter votre visibilité sur notre Portail Emploi et ainsi permettre aux recruteurs de consulter votre profil candidat, vous avez la possibilité de déposer votre CV dans notre CVThèque en un clic !

Faites connaître cette offre !

Informations générales

Référence : UMR8520-FARMED-003
Lieu de travail : VILLENEUVE D ASCQ
Date de publication : lundi 26 avril 2021
Nom du responsable scientifique : Farid Medjdoub
Type de contrat : CDD Doctorant/Contrat doctoral
Durée du contrat : 36 mois
Date de début de la thèse : 1 octobre 2021
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 2 135,00 € brut mensuel

Description du sujet de thèse

La filière nitrure de gallium (GaN) est une filière stratégique car elle permet notamment d'améliorer la puissance et le rendement des futurs systèmes de télécommunications 5G ou encore de radars à antennes actives. Dans ce cadre, le projet GREAT vise à apporter un support significatif à l'optimisation de cette technologie permettra de couvrir la gamme d'ondes millimétriques jusqu'à une fréquence d'opération de 94 GHz, et ouvrira donc un champ d'applications de fonctionnalités nouvelles sans précédent.
Les substrats SiC hautement résistifs sont les plus adaptés à la croissance d'empilements à base de GaN pour les composants RF de puissance, de par leur faible différence de paramètre de maille et coefficient thermique. Néanmoins, ils sont à l'heure actuelle peu disponibles en Europe, et présentent un coût très élevé. La compagnie SOITEC a lancé récemment un programme de développement technologique dans le but de produire une nouvelle génération de substrats SiC. En collaboration avec cette société, l'objectif de cette thèse consistera à développer cette solution qui consiste en un transfert de SiC hautement résistif avec collage thermiquement et électriquement conducteurs sur substrat bas coût, donnant lieu à une solution moins onéreuse et surtout à une indépendance technologique moindre au niveau Européen. Les performances RF, les caractéristiques thermiques ainsi que la qualité structurale de l'épitaxie GaN seront évaluées et comparées à la croissance sur substrat hautement résistif SiC standard au travers plusieurs lots de fabrication à l'IEMN. Les substrats hybrides basés sur la technologie smart-cut seront fournis par la société SOITEC.
Le financement provenant du ministère des armées, le candidat devra obligatoirement être de nationalité Européenne.

Contexte de travail

L'IEMN regroupe dans une structure unique l'essentiel de la recherche régionale dans un vaste domaine scientifique allant des nanosciences à l'instrumentation.
Faire travailler ensemble des chercheurs ayant des cultures, des démarches et des motivations différentes, construire une continuité de connaissances allant des problèmes fondamentaux aux applications fait aujourd'hui notre spécificité. Aujourd'hui, près de 500 personnes, dont une centaine de chercheurs internationaux, travaillent ensemble.
Le cœur de nos activités est centré sur les micros et nanotechnologies et leurs applications dans les domaines de l'information, la communication, les transports et la santé. Nos chercheurs ont à leur disposition des moyens expérimentaux exceptionnels, en particulier des centrales de technologie et de caractérisation dont les possibilités et les performances se situent au meilleur niveau européen. L'IEMN fait partie du réseau des grandes centrales de technologie RENATECH.
Notre politique scientifique consiste non seulement à l'approfondissement des connaissances mais également à l'établissement d'un partenariat privilégié avec des industriels leaders sur leurs marchés et au développement d'un partenariat de proximité avec les ETI et PME régionales et les jeunes pousses issues de l'IEMN.

On en parle sur Twitter !