En poursuivant votre navigation sur ce site, vous acceptez le dépôt de cookies dans votre navigateur. (En savoir plus)

Doctorant : (F/H) : Développement d'un module de grille pour transistors de puissance verticaux en GaN (H/F)

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : mercredi 29 juin 2022

Assurez-vous que votre profil candidat soit correctement renseigné avant de postuler. Les informations de votre profil complètent celles associées à chaque candidature. Afin d’augmenter votre visibilité sur notre Portail Emploi et ainsi permettre aux recruteurs de consulter votre profil candidat, vous avez la possibilité de déposer votre CV dans notre CVThèque en un clic !

Informations générales

Référence : UMR5129-MARCLO-056
Lieu de travail : GRENOBLE
Date de publication : mercredi 8 juin 2022
Nom du responsable scientifique : SALEM Bassem
Type de contrat : CDD Doctorant/Contrat doctoral
Durée du contrat : 36 mois
Date de début de la thèse : 1 octobre 2022
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 2 135,00 € brut mensuel

Description du sujet de thèse

Le travail portera sur les transistors de puissance en nitrure de gallium (GaN) qui permettent de développer des systèmes de conversion d'énergie électrique avec un meilleur rendement et plus compactes que ceux réalisés avec la technologie silicium qui est actuellement la plus répandue. Il existe maintenant une demande croissante pour ce type de composants. L'architecture des dispositifs commerciaux en GaN est de type latérale. Ils possèdent de ce fait une limite de puissance d'utilisation de l'ordre de plusieurs 10kW notamment de par la conduction du courant qui y est surfacique. Les architectures verticales, à conduction volumique, permettent de convertir des densités de puissance plus élevées. Leur développement nécessite un travail important au niveau de leur module de grille pour lequel on souhaite une tension de seuil suffisamment élevée, une faible résistance à la conduction du courant (i.e. forte mobilité électronique) et une robustesse aux surtensions de commande.
L'étude démarrera par un état de l'art des transistors de puissance verticaux en GaN et plus spécifiquement sur les résultats concernant le module de grille. L'objectif sera notamment de proposer des structures de test pertinentes à la réalisation de caractérisations électriques et physico-chimiques des échantillons fabriqués avec des étapes de gravure et de dépôt diélectrique sur des couches épitaxiées en GaN. Les résultats obtenus feront l'objet de publications scientifiques et le cas échéant de brevets. Les procédés développés seront ensuite utilisés pour être intégrés dans une séquence de fabrication complète de transistors qui seront mis en boîtier pour être employés dans un convertisseur de puissance.

Contexte de travail

Le LTM est une unité mixte de recherche CNRS/Université Grenoble Alpes, comportant 6 équipes dont 4 de recherche et compte environ 90 personnes. Le laboratoire est situé le site du CEA-LETI à Grenoble.

Contraintes et risques

Néant

On en parle sur Twitter !