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doctorant H/F / Fabrication et tests de LED UV à base III-N

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : mercredi 10 mars 2021

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Informations générales

Référence : IRL2958-NADWER-026
Lieu de travail : METZ
Date de publication : mercredi 17 février 2021
Nom du responsable scientifique : ABDALLAH OUGAZZADEN ET JEAN PAUL SALVESTRINI
Type de contrat : CDD Doctorant/Contrat doctoral
Durée du contrat : 36 mois
Date de début de la thèse : 1 septembre 2021
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 2 135,00 € brut mensuel

Description du sujet de thèse

Dans le cadre de ce projet, nous proposons d'explorer un nouveau concept d'émetteur d'UV profond (280nm-250nm) basé sur l'ingénierie de bande interdite des hétérostructures hBN/BAlN/AlGaN et sur l'ingénierie de dopage pour potentiellement améliorer l'efficacité en s'affranchissant des problèmes de faible conductivité du contact p et du reflux d'électrons des puits quantiques. La croissance épitaxiale et l'activation thermique du hBN de type p sur l'AlGaN riche en n-Al seront étudiées. Le dépôt de métal et le recuit thermique des contacts p seront étudiés et optimisés. Des structures de diodes composées de hBN de type p sur une couche de blocage d'électrons BAlN sur de l'AlGaN de type n riche en Al seront fabriquées et caractérisées. En outre, la croissance épitaxiale de la structure sur un substrat de hBN/AlN sera étudiée et comparée à la structure développée directement sur un substrat d'AlN. Cela pourrait, à terme, ouvrir la voie à la réalisation de dispositifs optoélectroniques à nitrure à haute efficacité pour l'UV profond.

Contexte de travail

Le doctorant commencera d'abord à travailler sur les différentes briques technologiques de la croissance épitaxiale et de la micro-fabrication de la structure à l'IRL GT CNRS. Au fur et à mesure de l'avancement du projet, il travaillera sur le procédé de fabrication ainsi que sur l'étape de décollage et de transfert à l'Institut Lafayette, une plateforme technologique située à côté de Georgia Tech Lorraine à Metz.

Contraintes et risques

RAS

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