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Doctorant en Croissance d'AlGaN riche en Al de haute qualité sur des couches de BN pour l'échelle de la puce Émetteurs UV (H/F)

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
- Français-- Anglais

Date Limite Candidature : dimanche 24 mars 2024

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Informations générales

Intitulé de l'offre : Doctorant en Croissance d'AlGaN riche en Al de haute qualité sur des couches de BN pour l'échelle de la puce Émetteurs UV (H/F)
Référence : IRL2958-CRICOR-010
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : METZ
Date de publication : samedi 10 février 2024
Type de contrat : CDD Doctorant/Contrat doctoral
Durée du contrat : 36 mois
Date de début de la thèse : 1 septembre 2024
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : La rémunération est d'un minimum de 2135,00 € mensuel
Section(s) CN : Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Description du sujet de thèse

Le projet consiste ene la libération mécanique de dispositifs en nitrure III à l'aide de h-BN est une approche prometteuse pour l'intégration hétérogène. Les technologies à l'échelle de la puce, telles que les diodes électroluminescentes UV (DEL) et les puces cathodoluminescentes (CL), émergent et nécessitent un développement considérable pour concurrencer les sources de lumière UV conventionnelles telles que les lampes à mercure et les lampes à excimère. Ces deux technologies peuvent bénéficier du développement du BN et de la croissance d'AlGaN riche en Al de haute qualité sur le BN. Dans ce projet, nous visons à utiliser le h-BN 2D comme tampon efficace et couche sacrificielle pour faire croître de l'AlGaN de haute qualité pour le développement de LED et de puces CL.

Contexte de travail

Le doctorant travaillera sur les différentes briques technologiques de la croissance épitaxiale par MOVPE des structures LED UV et effectuera également la caractérisation des matériaux (XRD, AFM, SEM, PL, CL et mesures électriques).Les étudiants doivent être titulaires d'un master en ingénierie, en physique ou en science des matériaux.


Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Contraintes et risques

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Informations complémentaires

Les candidats sélectionnés auront la possibilité de s'inscrire en tant qu'étudiants en doctorat à Georgia Tech et peuvent postuler par l'intermédiaire du programme d'études supérieures de l'école d'ingénierie électrique et informatique de Georgia Tech Atlanta. De plus amples informations seront fournies à la demande de l'étudiant. Les candidats doivent soumettre leurs références et une courte lettre de motivation à l'adresse ci-dessous.
Dr. Suresh Sundaram
Faculty, Georgia Tech Europe
GT European Campus
Email: suresh.sundaram@ece.gatech.edu