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Post-doctorat (H/F) : Réalisation de composants de puissance GaN et diamant

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : mercredi 1 décembre 2021

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Informations générales

Référence : UPR8001-KARISO-001
Lieu de travail : TOULOUSE
Date de publication : mercredi 10 novembre 2021
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 janvier 2022
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : entre 2 660 et 3 783 € bruts mensuels selon expérience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

Les semiconducteurs à large bande interdite (« grand gap »), notamment le GaN et le diamant (C) avec leurs propriétés électroniques et électrothermiques exceptionnelles, doivent permettre de réaliser ces dispositifs actifs fonctionnant en environnement sévère (haute tension, haute température, haute fréquence, radiations). Il est donc indispensable de développer les filières technologiques spécifiques à la réalisation de ces fonctions et composants de puissance.
Le poste vise à renforcer les compétences de l'équipe dans le domaine de la micro et nano fabrication de composants en salle blanche. Le post-doctorant pourra intervenir dans le cadre de plusieurs projets de l'équipe ISGE : le projet Nano 2022, dont l'objectif est de proposer et réaliser une structure HEMT GaN normally-off, et les projets MOVEToDiam et LAPIN113 dont le but est de réaliser des diodes PIN verticales en diamant en développant notamment le dopage par implantation ionique dans le diamant.

Activités

Le travail portera sur l'optimisation des briques technologiques de base (réalisation de contact ohmique, dépôt de diélectrique, etc.) pour la fabrication de ces composants de puissance et également sur le développement de procédés technologiques innovants basés sur les techniques de micro et nano fabrication, avec pour finalité la réalisation de la nouvelle génération de fonctions de puissance à base de semiconducteurs grand gap. Le post-doctorant travaillera dans l'équipe ISGE et au sein de la plateforme Renatech de micro et nano fabrication du LAAS : il bénéficiera de la forte expérience acquise sur les filières technologiques à base de silicium et GaAs développées au laboratoire.
Le post-doctorant se focalisera sur les principales tâches suivantes :
• Réalisation de structures spécifiques (TLM, Van der Paw) adaptées à la caractérisation électrique pour la mesure de la mobilité et de la résistivité des matériaux grand gap (GaN, Diamant).
• Développement de briques technologiques spécifiques (implantation par PIII, traitement de surface, gravure) pour la réalisation de structures de puissance innovantes.

Compétences

• Solides bases en physique des semiconducteurs et des composants
• Niveau confirmé en utilisation (et/ou développement) de procédés technologiques de réalisation de briques technologiques et de composants à semiconducteurs en salle blanche
• Expertise en caractérisations physique / électrique des matériaux
• Capacité à synthétiser et présenter les résultats scientifiques
• Capacité à communiquer en anglais (écrit et oral)
• Capacité à travailler en autonomie et en équipe

Contexte de travail

Le chercheur postdoctoral fera partie de l'équipe ISGE du Laboratoire LAAS-CNRS localisé à Toulouse.
Ces travaux de recherche seront réalisés au sein de la plateforme de micro et nanotechnologie du laboratoire

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