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Etude par effet Hall conventionnel et différentiel des propriétés électriques de matériaux et nanostructures obtenus par des procédés de fabrication à faible bilan thermique pour les nanodispositifs électroniques avancés - H/F

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : lundi 23 mai 2022

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Informations générales

Référence : UPR8001-FILCRI-007
Lieu de travail : TOULOUSE
Date de publication : lundi 2 mai 2022
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 15 mois
Date d'embauche prévue : 1 juin 2022
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : Entre 3000 € et 3700 € bruts mensuels, selon expérience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

Le post-doctorant sera chargé de la caractérisation avancée des propriétés électriques des différentes structures étudiées dans le cadre du projet IT2-FR (IC Technology for the 2nm node), mené en collaboration avec plusieurs partenaires industriels français opérant dans le domaine de la micro/nanoélectronique.
Ce projet a pour objectif d'explorer, de développer et de démontrer des options technologiques qui permettront de réaliser une technologie CMOS 2 nm. Au LAAS, une attention particulière sera portée à l'étude des effets des recuits laser nanoseconde sur différents types de matériaux en vue de l'intégration de cette technique de recuit dans les procédés de fabrication des composants électroniques avancés. Les deux études principales concerneront (i) l'ingénierie des interconnexions métalliques à base de Cu et/ou Ru (mesure de la résistance des couches en fonction des conditions de recuit melt ou sub-melt, en configuration « pleine plaque » ou sur des motifs nanostructurés…) et (ii) l'ingénierie des jonctions source/drain (activation des dopants et mobilité des porteurs dans des couches minces de SiGe suite à une étape de recuit laser nanoseconde en régime de fusion, hyperdopage par implantation d'impuretés du groupe VI, impact des différents phénomènes qui ont lieu au cours de la resolidification des couches liquides sur les propriétés électriques…).
Le post-doctorant sera aussi mené à collaborer avec les autres chercheurs de l'équipe dans le cadre de différents projets nationaux et européens actuellement en cours de réalisation

Activités

- Mesure de la résistance de couches fines métalliques en fonction des conditions de recuit melt ou sub-melt, en configuration « pleine plaque » ou sur des motifs nanostructurés…
- Mesures par effet Hall conventionnel et différentiel de couches de Si implantés par des impuretés du groupe VI (identification de la contribution des défauts aux « dopage net » mesuré)
- Mesures par effet Hall conventionnel de couches de SiGe à teneur de Ge variable en profondeur : amélioration des modèles existants pour l'interprétation physique de ces mesures, notamment par la prise en compte de la variation de composition en profondeur de l'alliage dans le calcul du taux d'activation et/ou la dégradation de mobilité causée par des défauts.
- Mise en place d'une procédure fiable et contrôlée de gravure de couches de SiGe avec une résolution nanométrique.
- Application de la méthode d'effet Hall Différentiel à l'étude de couches de SiGe à teneur variable en profondeur
- Identification de techniques complémentaires de caractérisation et implémentation au LAAS ou dans le cadre du consortium du projet (4PP, TLM, DLTS, ECV, SCM, SSRM…)

Compétences

- Doctorat en physique, science des matériaux ou nanotechnologie
- Des compétences solides dans le domaine de la nano-caractérisation électrique
- Capacité à écrire et à parler de manière fluide en anglais (rencontres internationales, rapports et échanges dans le cadre des différents projets).
- Bonne capacité de travail en équipe (interactions à prévoir avec les autres membres du consortium du projet ainsi qu'avec le personnel technique)

Contexte de travail

Fort d'un nombre important de chercheurs permanents, d'ingénieurs et de doctorants ainsi que de fortes interactions avec l'industrie, le LAAS-CNRS se situe à la croisée de la recherche scientifique, de l'innovation et des applications. Le LAAS-CNRS possède l'une des plus importantes installations technologiques dédiées à la recherche, avec une salle blanche ultra-moderne de 1600 m² et une plate-forme de caractérisation (1200 m²) qui regroupe de nombreux moyens de caractérisation de micro et nano-systèmes dans les domaines électrique, hyperfréquence, optique et chimie-biologie.
Le projet se déroulera principalement dans le laboratoire d'accueil à Toulouse, mais le chercheur post-doc travaillera dans un contexte de recherche très stimulant dans le cadre de nombreuses collaborations académiques et industrielles au niveau français et européen.

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