En poursuivant votre navigation sur ce site, vous acceptez le dépôt de cookies dans votre navigateur. (En savoir plus)
Portail > Offres > Offre UPR8001-CORDUR-001 - Caractérisation électronique et structurale de couches minces de Bi1-xSbx intégré sur substrat de GaAs par épitaxie par jet moléculaire (H/F)

Caractérisation électronique et structurale de couches minces de Bi1-xSbx intégré sur substrat de GaAs par épitaxie par jet moléculaire (H/F)

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : jeudi 2 juin 2022

Assurez-vous que votre profil candidat soit correctement renseigné avant de postuler. Les informations de votre profil complètent celles associées à chaque candidature. Afin d’augmenter votre visibilité sur notre Portail Emploi et ainsi permettre aux recruteurs de consulter votre profil candidat, vous avez la possibilité de déposer votre CV dans notre CVThèque en un clic !

Informations générales

Référence : UPR8001-CORDUR-001
Lieu de travail : TOULOUSE
Date de publication : jeudi 12 mai 2022
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 18 mois
Date d'embauche prévue : 1 octobre 2022
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 2663€ brut mensuel
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

La première partie de la mission du candidat est liée à l'optimisation de la croissance du Bi1-xSbx. Il/elle sera chargé(e) de la caractérisation structurale et électrique des couches minces de Bi1-xSbx fabriquées par Epitaxie par Jet Moléculaire (EJM) et contribuera à établir un cercle vertueux entre croissance et caractérisation du matériau. Sur des échantillons sélectionnés, il/elle réalisera les mesures de transport électronique et participera aux campagnes de mesure par Microscopie à Effet Tunnel (STM) afin d'étudier les propriétés du BiSb seul et, dans un second temps, ses interactions avec le cobalt déposé en surface (avec des taux de couverture allant de quelques atomes à quelques nanomètres).

Activités

La croissance du Le Bi1-xSbx sera réalisée par épitaxie par jet moléculaire au LAAS par Dr. S. Plissard. L'une des tâches principale du/de la candidat(e) sera de réaliser la caractérisation structurale des échantillons juste après la croissance avec les moyens de la plateforme de caractérisation du LAAS. Il/elle fournira aux épitaxieurs un retour direct sur la qualité cristallographiques des échantillons fabriqués. Avec Dr. C. Durand, il/elle mènera des mesures de transport électronique sur des échantillons préparés au sein de la centrale technologie du LAAS. Les mesures électriques à basse température et sous faible champ magnétique seront réalisées grâce aux équipements de la plateforme de caractérisation électrique du laboratoire. Des mesures à fort champ magnétique sont également envisagées. Le/la candidat(e) participera aux campagnes de caractérisation par Microscopie à Effet Tunnel (STM) réalisées au CEMES pour l'étude des propriétés structurales et électroniques de surface des échantillons. Ces campagnes seront supervisées par Pr. R. Coratger. Il/elle prendra part à l'analyse des données acquises lors des différentes campagnes de caractérisation et à la rédaction de rapports. Il/elle participera aux réunions et présentera ses résultats à l'oral.

Compétences

- Doctorat en physique de la matière condensée
- Microfabrication
- Caractérisation électrique
- Compétences en caractérisation structurale appréciées
- Compétences en Ultra Vide et Microscopie en en champ Proche hautement considérées
- Anglais (lu, parlé, présentations en anglais)

Contexte de travail

Les matériaux hybrides combinent des matériaux de classes différentes, permettant l'exploitation de nouvelles propriétés physiques de la matière. Par exemple, l'association d'un Isolant Topologique (IT) et d'un matériau magnétique pourrait permettre d'améliorer la qualité de certains composants électroniques actuels. En effet, le développement de nouvelles mémoires basées sur le phénomène de Spin Orbit Torques pourrait révolutionner l'industrie des mémoires RAM (Random Access Memory) en permettant la conception de composants plus rapides, plus petits, et moins gourmands en énergie [1]. Parmi les matériaux massifs, le Bi1-xSbx fut le premier matériau dont les propriétés d'IT furent démontrées expérimentalement en 2008 [2]. Récemment, nous avons réalisé avec succès la croissance de Bi1-xSbx en couche mince sur GaAs(001) [3]. Avec le projet HyTop, nous proposons d'étudier les interactions entre le cobalt, un matériau magnétique, et le BiSb à partir des propriétés structurales et électroniques. Le/la candidat(e) travaillera en collaboration avec les chercheurs du LAAS et du CEMES.
[1] N.H.D. Khang et al., Nature Mater. 17, 808 (2018)
[2] D. Hsieh et al. Nature 452, 970 (2008)
[3] D. Sadek et al. ACS Appl. Mater. Interfaces 13, 36492 (2021)

Informations complémentaires

Le/la candidat(e) doit avoir une expérience de moins de 2 ans après sa thèse

On en parle sur Twitter !