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CDD chercheur H/F : Epitaxie par jets moléculaires de matériaux nitrures d'éléments III sur substrat silicium 8''

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : vendredi 29 janvier 2021

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Informations générales

Référence : UPR10-MICPEF-026
Lieu de travail : VALBONNE
Date de publication : vendredi 8 janvier 2021
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 6 mois
Date d'embauche prévue : 1 mars 2021
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : Entre 2675,28 € et 3805,92 € selon expérience de 1 à 7 ans.
Niveau d'études souhaité : Bac+5
Expérience souhaitée : Indifférent

Missions

Le/la candidat(e) sera responsable de la croissance par épitaxie par jets moléculaires sur le réacteur Riber 49 dans le cadre du projet Nano2022. Il/elle participera :
• à la réalisation des substrats composites AlN/Si 8''.
• à la caractérisation structurale des couches minces (AFM, Diffraction X, mesures C-V, effet Hall) et analysera les données pour optimiser les procédés de croissance afin de répondre aux objectifs fixés.

Activités

Il/elle développera le procédé de croissance GaN/AlN sur silicium et délivrera des couches aux partenaires du projet Nano2022.
Il/elle participera à la maintenance du réacteur.
Il/elle assurera la formation du personnel qui serait amené à intervenir sur l'équipement dans le cadre du projet Nano2022.
Le/la candidat(e) devra également interagir efficacement et régulièrement avec les différents partenaires via des présentations techniques tout en respectant certaines règles de confidentialité lorsque qu'elles seront exigées.
Le/la candidat(e), via une étude bibliographique poussée, devra acquérir une expertise scientifique complète dans le domaine des structures GaN sur silicium et de leur utilisation pour la réalisation de transistors.

Compétences

Les candidat(e)s doivent absolument avoir une expérience pratique en épitaxie par jets moléculaires y compris dans l'exploitation et la maintenance du réacteur de croissance. Une bonne connaissance des matériaux nitrures d'éléments III et une expertise en caractérisation des matériaux sont également souhaitées. Une grande méthodologie et de la rigueur seront des qualités très appréciées. Enfin le/la candidat(e) retenu(e) devra faire preuve d'une excellente attitude professionnelle, de compétences en communication, ainsi que de la capacité à gérer des projets complexes.

Contexte de travail

Le programme de recherche et développement coopératif Nano2022/IPCEI a pour objectif de consolider l'industrie de la micro/nanoélectronique nationale. C'est dans ce contexte que STMicroelectronics, chef de file du projet, et le CRHEA-CNRS en collaboration avec la start-up EasyGaN, participe au projet POWEREASY. L'objectif de ce projet est de fabriquer à partir d'un substrat composite (AlN/Si) des structures transistors pour l'électronique de puissance à base de GaN sur Si, et de montrer que ce substrat composite permet d'améliorer les performances des composants, de faciliter leur fabrication et d'augmenter les rendements de production. Dans le cadre de ce projet, le CRHEA-CNRS recherche un chercheur motivé possédant une solide expertise en épitaxie par jets moléculaires. Il s'agit d'un CDD CNRS de 6 mois localisé au CRHEA à Sophia-Antipolis. La fabrication des substrats composites AlN/Si par épitaxie par jets moléculaires sera ensuite transférée vers la société EasyGaN. Ce transfert sera facilité par le fait que le CDD CNRS sera ensuite recruté comme CDD EasyGaN sur au moins 24 mois. Cette validation permettra à la startup EasyGaN (issue et hébergée au CRHEA) de proposer un produit de rupture pour faciliter l'accès à la technologie GaN sur Si.

Contraintes et risques

pas de contraintes particulières

Informations complémentaires

demande motivée accompagnée d'un CV ainsi que les coordonnées de 3 références professionnelles.

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