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Postdoctorant (H/F) : source de lumière par effet tunnel inélastique.

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
- Français-- Anglais

Date Limite Candidature : lundi 21 octobre 2024 23:59:00 heure de Paris

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Informations générales

Intitulé de l'offre : Postdoctorant (H/F) : source de lumière par effet tunnel inélastique.
Référence : UMR9001-JEAPEL-010
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : PALAISEAU
Date de publication : lundi 30 septembre 2024
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 24 mois
Date d'embauche prévue : 1 novembre 2024
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : entre 3081,33 € et 3519,85 € bruts mensuels selon expérience
Niveau d'études souhaité : Niveau 8 - (Doctorat)
Expérience souhaitée : Indifférent
Section(s) CN : Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Missions

Les antennes métal - diélectrique à nanogap réalisent un confinement extrême du champ électromagnétique, permettant une interaction lumière – matière accrue et ainsi l'exaltation d'une large variété d'effets physiques. Leurs modes optiques se caractérisent par un champ fortement confiné et perturbé par le transport tunnel des électrons à travers le gap diélectrique. La combinaison de ces deux effets introduit de nouvelles propriétés optiques, le sujet d'étude de ce projet de recherche.
Au-delà de l'étude de ces aspects fondamentaux, le projet se focalisera sur la mise à profit de la forte interaction entre le transport électronique et les propriétés optiques pour initier de nouvelles sources de lumière.
Ce projet sera conduit au C2N dans l'équipe Nano-Opto-Electronic sous la responsabilité conjointe de Jean-Luc Pelouard et Fabrice Pardo et en collaboration étroite avec les partenaires du projet HIGHLIGHTS financé par l’ANR.

Activités

Les activités de ce projet de recherche se répartissent en trois catégories.

1/ Théorie et simulation numérique. De nombreux points théoriques restent ouverts dans le domaine des résonateurs à nanogap. Ce projet de recherche cherchera à y apporter une contribution par le développement de nouveaux modèles étayés par des simulations numériques. Cette activité sera développée en collaboration avec deux autres équipes du campus de Paris-Saclay.

2/ Nano-fabrication. Cette partie s'appuie sur l'expérience de notre équipe pour la fabrication de dispositifs à nanogap, en particulier du contrôle des épaisseurs et interfaces à une échelle nettement inférieure au nanomètre. Dans ce contexte, ce projet vise à développer de nouvelles approches permettant, en particulier une augmentation des tensions appliquées, une réduction du bruit et une meilleure stabilité dans le temps des caractéristiques électriques. Cette activité se déroulera dans les salles blanches du C2N.

3/ Caractérisation des propriétés optiques et électriques. Les structures fabriquées seront caractérisées sur les bancs de mesure du laboratoire tant pour leurs propriétés optiques qu'électriques. Au-delà de ces caractérisations standard, des montages spécifiques seront utilisés pour des études plus détaillées. Elles seront menées, soit par le biais de collaborations, soit en réalisant des montages dédiés au laboratoire.

Compétences

Les activités de cette étude se partagent entre nano-fabrication en salle blanche et caractérisation (optique, électrique, structurale) des procédés utilisés et des objets fabriqués. Elles demandent un excellent background en physique générale avec, au moins, une spécialité liée à un des axes de recherche ci-dessus. Une bonne expérience en nano-fabrication sera un critère important dans la sélection des candidatures.

Contexte de travail

Le Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N) est une unité mixte de recherche du CNRS et de l'Université Paris-Saclay. Constitué d'environ 410 personnes, le laboratoire a intégré des nouveaux locaux sur le campus de Paris-Saclay à l'automne 2018. Les thématiques de recherche du C2N sont la photonique, la nanoélectronique, les microsystèmes et nano-bio-fluidique et les matériaux. Le poste à pourvoir est au sein de l’équipe Nano-Opto-Electronic (NOE) du département photonique.
Le candidat bénéficiera du soutien des plateformes PIMENT et PANAM du laboratoire pour la fabrication et la caractérisation structurale des structures étudiées. Plus de détails sur notre site web : www.c2n.universite-paris-saclay.fr/fr.
Le projet de recherche se déroulera dans le cadre d’une collaboration très étroite entre les partenaires du projet HIGHLIGHTS financé par l’ANR : IOGS pour l’approche théorique et la caractérisation de l’émission en champ lointain, ISMO pour l’étude en champ proche des propriétés optiques, LPS pour l’étude du comportement électrique en fréquence.


Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Contraintes et risques

Travail dans une structure de type salle blanche (empoussièrement contrôlé ISO4 à ISO6) nécessitant le port d’une tenue dédiée (combinaison intégrale avec gants et sur-bottes) ainsi que le respect de procédures spécifiques.
Des déplacements sont à prévoir dans les différents laboratoires du consortium, tous étant situés sur le campus de Paris-Saclay.