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Chercheur post-doctoral (H/F), synthèse d’hétérostructures de phase cristalline par Molecular Beam Epitaxy (MBE)

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
- Français-- Anglais

Date Limite Candidature : mercredi 4 février 2026 23:59:00 heure de Paris

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Informations générales

Intitulé de l'offre : Chercheur post-doctoral (H/F), synthèse d’hétérostructures de phase cristalline par Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Référence : UMR9001-FEDPAN-003
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : PALAISEAU
Date de publication : mercredi 14 janvier 2026
Type de contrat : Chercheur en contrat CDD
Durée du contrat : 10 mois
Date d'embauche prévue : 1 mars 2026
Quotité de travail : Complet
Rémunération : 3131,32 à 3569,85€ brut mensuel
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années
Section(s) CN : 03 - Matière condensée : structures et propriétés électroniques

Missions

• Développer et optimiser la croissance de nanofils GaAs intégrant des hétérostructures de phase cristalline par épitaxie par jets moléculaires (MJF).
• Contribuer à la rédaction scientifique, à la présentation des résultats et à la valorisation du projet.

Activités

• Croissance MJF de nanofils GaAs sur substrats Si/SiO₂ patternés.
• Analyse structurale par microscopie électronique (in situ TEM, diffraction électronique, indexation des axes de zone).
• Traitement et analyse automatisée d’images TEM (segmentation, extraction de paramètres morphologiques).
• Modélisation de la croissance et des transitions de phase (cinétique de nucléation, diffusion, stabilité des gouttes).
• Caractérisation optique des nanostructures (photoluminescence, spectroscopie).
• Interactions avec les encadrants et collaborateurs, participation aux réunions scientifiques du projet.
• Rédaction de rapports, d’articles et de supports de communication scientifique.

Compétences

• Expérience en épitaxie par jets moléculaires (MJF) ou croissance de matériaux III–V.
• Maîtrise de la microscopie électronique en transmission (TEM) et des analyses de diffraction.
• Connaissances en physique des semiconducteurs (structures cristallines, défauts, alignement de bandes, polarisation spontanée).

Contexte de travail

• Travaux réalisés au Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N, Université Paris-Saclay / CNRS).
• Accès à une plateforme de croissance MJF standard, salles blanches, microscopes TEM, et équipements de caractérisation optique.
• Collaboration étroite avec une équipe multidisciplinaire (croissance, microscopie in situ, modélisation, optique).
• Interactions régulières avec les encadrants et partenaires académiques du projet.
• Environnement de recherche exigeant, orienté vers des résultats publiables et la démonstration d’un contrôle de croissance inédit.


Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Contraintes et risques

• Travail sur systèmes MJF sous ultra-vide et sources d’évaporation haute température.
• Manipulation de produits chimiques pour préparation/ nettoyage des substrats (ex. solutions fluorées, acides).