Missions

L'objectif pour la personne recrutée est l’étude des propriétés physique de deux oxydes potentiellement intéressants pour l'électronique du futur. Ga2O3, oxyde semiconducteur à grande bande interdite (~5 eV) facilement dopable pour obtenir un type n, quand NiO peut être de type p.
La mission consiste en l'élaboration des couches épitaxiales, l’étude fondamentale et approfondie de leurs propriétés électroniques, principalement l'identification de défauts ponctuels et l'étude du mécanisme de conductivité électrique en relation avec d'autres propriétés physique.

Activités

- Etudes physiques de films minces de Ga2O3 dopés et NiOx :
• Préparation des contacts électriques (Ohmic/Schottky) : Photo-lithographie ; pulvérisation RF de métaux ; recuit thermique rapide
• Caractérisations I-V en fonction de la température
• Effet Hall, mesures de résistivité dans la gamme [2K-850K]
• Photoconductivité ; mesures C-V
• Transmittance/réflexion optique
• Diffraction des rayons X (mesures de base)
- Dépôt de matériaux diélectriques d’oxydes en couche mince par dépôt en phase vapeur (CVD) et par pulvérisation cathodique RF
- Analyse/interprétation des données
- Assister à la gestion de projets : préparation de rapports scientifiques et organisation de réunions.
- Très forte implication dans la communication scientifique : réunions/conférences/publications du consortium
- Formation et partage des connaissances avec les étudiants en doctorat et en master

Compétences

Une expérience de la recherche sur (a) les matériaux à large bande interdite ou (b) en génie électrique est nécessaire.
Autres compétences attendues :
- Connaissance approfondie de la physique des semi-conducteurs à large bande interdite : propriétés électroniques, identification des défauts ponctuels ;
- Expertise dans plusieurs domaines :
• Dépôt et caractérisation de contacts électriques ; mesures de transport électrique (I-V ; C-V ; effet Hall)
• Chemical Vapor Deposition (CVD), Pulvérisation RF pour dépôts de couches minces

- Français et anglais : oral et écrit (niveau B2/C1)
- Très bonne capacité de communication (scientifique et avec les membres de l'équipe)
- Expérience/notion de base de management du projet
- Disponibilité pour des déplacements en France et à l'étranger.
- Capacité à respecter les délais et forte volonté de partager les résultats/connaissances.

Contexte de travail

Le GEMaC est un laboratoire mixte entre le CNRS et l'UVSQ (qui s’inscrit plus largement dans le périmètre de l’Université Paris-Saclay). Il est situé sur le campus de Versailles. Plusieurs laboratoires académiques français sont impliqués dans le projet

Le poste s’inscrira dans le projet national français « Repousser les limites de l'électronique de puissance : l'oxyde de Gallium, le semi-conducteur de puissance de nouvelle génération » (GOTEN). Ce projet compte parmi les Programmes et Equipements de Recherche Prioritaires (PEPR) lancés dans le cadre du plan France 2030. https://www.pepr-electronique.fr/goten/. Le consortium est composé de 7 partenaires tous issus de laboratoires français, ce qui implique de nombreux déplacements dans les laboratoires partenaires pour des réunions et des expériences.

Le candidat ou la candidate aura accès à toutes les installations expérimentales disponibles au GEMaC. Le candidat ou la candidate sera en relation très étroite avec les membres du GEMaC travaillant pour le projet et d'autres collaborateurs en France.

Le GEMaC étant une zone à régime restrictif (ZRR) et le projet étant labellisé "intérêt stratégique national" des restrictions pourront être appliquées. En particulier, il nécessite, conformément à la réglementation, que le recrutement soit autorisé par l'autorité compétente du MESR.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Contraintes et risques

Le projet nécessite de travailler en flux tendu, avec des délais et des tâches multiples.