INGENIEUR D’ETUDES (H/F) : Fabrication et caractérisation de transistors HEMT-GaN pour des applications en bande W
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- IT in FTC
- 6 months
- BAC+3/4
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Offer at a glance
The Unit
Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie
Contract Type
IT in FTC
Working hHours
Full Time
Workplace
59652 VILLENEUVE D ASCQ
Contract Duration
6 months
Date of Hire
02/11/2026
Remuneration
2521,95
Apply Application Deadline : 14 October 2026 23:59
Job Description
Missions
Fabriquer des transistors HEMTs-GaN pouvant fonctionner jusqu'en bande W.
Caractériser électriquement et physiquement les composants réalisés
Activity
Activités technologiques en salle blanche
Contacts ohmiques alliés : Réalisation et optimisation des métallisations (ex. empilements à base de Ti/Al/Ni/Au) et des étapes de recuit thermique rapide (Rapid Thermal Annealing - RTA) pour obtenir de faibles résistances de contact sur les hétérostructures GaN.
Technologies de grille (Schottky ou MIS) : Gravure et définition des grilles submicroniques, avec maîtrise des technologies de grille Schottky classique ou de grille MIS afin d'améliorer le contrôle électrostatique et de minimiser les courants de fuite de grille.
Caractérisation hyperfréquence et mesures avancées (jusqu'à 110 GHz)
Mesures sous pointes RF en bande W : Utilisation d'un banc de caractérisation haute fréquence (Analyseur de Réseaux Vectoriel - VNA, pointes RF étalonnées) pour couvrir la gamme de fréquences allant jusqu'à 110 GHz.
Techniques de De-embedding : Application de méthodes ad-hoc (structures étalons Open et Short) pour s’affranchir les effets des pads d'accès.
Extraction du schéma équivalent : Analyse des paramètres S mesurés pour l'extraction complète du schéma équivalent petits signaux du composant (éléments parasites et intrinsèques), permettant d'évaluer finement les figures de mérite (fréquences de coupure fT et fmax) requises pour les applications en bande W.
Your Profil
Skills
Le/la candidat(e) idéal(e) maîtrise l'ensemble des étapes technologiques de réalisation des composants et sait opérer avec expertise les équipements de salle blanche. Il/elle aura également la responsabilité de piloter en autonomie des campagnes de caractérisation, indispensables tant pour valider chaque étape du process de fabrication que pour analyser et optimiser les performances hyperfréquences des dispositifs développés.
Your Work Environment
La mission s'effectuera au LCI, IEMN au sein du groupe Puissance. Les accès en salle blanche et centrale de caractérisation seront demandés.
Constraints and risks
Le poste ne présente pas de contraintes ou risques particuliers autre que ceux potentiellement rencontrés dans une salle blanche (formation sécurité obligatoire avant d'accéder aux salles dédiées)
Compensation and benefits
Compensation
2521,95
Annual leave and RTT
44 jours
Remote Working practice and compensation
Pratique et indemnisation du TT
Transport
Prise en charge à 75% du coût et forfait mobilité durable jusqu’à 300€
About the offer
| Offer reference | UMR8520-NICDEF0-002 |
|---|---|
| Line of business | Engineering Sciences and Scientific Instrumentation |
| Job Type | Electronics Engineer |
About the CNRS
The CNRS is a major player in fundamental research on a global scale. The CNRS is the only French organization active in all scientific fields. Its unique position as a multi-specialist allows it to bring together different disciplines to address the most important challenges of the contemporary world, in connection with the actors of change.
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