INGENIEUR D’ETUDES (H/F) : Fabrication et caractérisation de transistors HEMT-GaN pour des applications en bande W
Nouveau
- IT en contrat CDD
- 6 mois
- BAC+3/4
Cette offre est ouverte aux personnes disposant d’un titre leur reconnaissant la qualité de travailleur handicapé ou travailleuse handicapée.
L'offre en un coup d'oeil
L'unité
Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie
Type de Contrat
IT en contrat CDD
Temps de Travail
Complet
Lieu de Travail
59652 VILLENEUVE D ASCQ
Durée du contrat
6 mois
Date d'Embauche
02/11/2026
Rémuneration
2521,95
Postuler Date limite de candidature : mercredi 14 octobre 2026 23:59
Description du Poste
Les Missions
Fabriquer des transistors HEMTs-GaN pouvant fonctionner jusqu'en bande W.
Caractériser électriquement et physiquement les composants réalisés
L'Activité
Activités technologiques en salle blanche
Contacts ohmiques alliés : Réalisation et optimisation des métallisations (ex. empilements à base de Ti/Al/Ni/Au) et des étapes de recuit thermique rapide (Rapid Thermal Annealing - RTA) pour obtenir de faibles résistances de contact sur les hétérostructures GaN.
Technologies de grille (Schottky ou MIS) : Gravure et définition des grilles submicroniques, avec maîtrise des technologies de grille Schottky classique ou de grille MIS afin d'améliorer le contrôle électrostatique et de minimiser les courants de fuite de grille.
Caractérisation hyperfréquence et mesures avancées (jusqu'à 110 GHz)
Mesures sous pointes RF en bande W : Utilisation d'un banc de caractérisation haute fréquence (Analyseur de Réseaux Vectoriel - VNA, pointes RF étalonnées) pour couvrir la gamme de fréquences allant jusqu'à 110 GHz.
Techniques de De-embedding : Application de méthodes ad-hoc (structures étalons Open et Short) pour s’affranchir les effets des pads d'accès.
Extraction du schéma équivalent : Analyse des paramètres S mesurés pour l'extraction complète du schéma équivalent petits signaux du composant (éléments parasites et intrinsèques), permettant d'évaluer finement les figures de mérite (fréquences de coupure fT et fmax) requises pour les applications en bande W.
Votre Profil
Compétences
Le/la candidat(e) idéal(e) maîtrise l'ensemble des étapes technologiques de réalisation des composants et sait opérer avec expertise les équipements de salle blanche. Il/elle aura également la responsabilité de piloter en autonomie des campagnes de caractérisation, indispensables tant pour valider chaque étape du process de fabrication que pour analyser et optimiser les performances hyperfréquences des dispositifs développés.
Votre Environnement de Travail
La mission s'effectuera au LCI, IEMN au sein du groupe Puissance. Les accès en salle blanche et centrale de caractérisation seront demandés.
Contraintes et risques
Le poste ne présente pas de contraintes ou risques particuliers autre que ceux potentiellement rencontrés dans une salle blanche (formation sécurité obligatoire avant d'accéder aux salles dédiées)
Rémunération et avantages
Rémunération
2521,95
Congés et RTT annuels
44 jours
Pratique et Indemnisation du TT
Pratique et indemnisation du TT
Transport
Prise en charge à 75% du coût et forfait mobilité durable jusqu’à 300€
À propos de l’offre
| Référence de l’offre | UMR8520-NICDEF0-002 |
|---|---|
| Secteur d’activité | Sciences de l'Ingénieur et instrumentation scientifique |
| Emploi type | Ingenieur electronicien (H/F) |
À propos du CNRS
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