Missions

L’ingénieur de recherche rejoindra le groupe « Composants et dispositifs microondes de Puissance » de l’IEMN qui est spécialisé en fabrication, caractérisation et modélisation de dispositifs dédiés aux applications de puissance hyperfréquence. L’activité proposée est essentiellement orientée vers un travail dans la centrale de micro-nano fabrication de l’IEMN. L’ingénieur aura donc dans un premier temps une formation spécifique à la sécurité relative à la salle blanche et sera initié aux techniques particulières d’ordre technologique pour utiliser en autonomie les différentes ressources disponibles.

Activités

L'objectif principal de l’activité consiste à réaliser des dispositifs 3T-GS PGDs ("three-terminal geometrically-shaped planar Gunn diodes") basées sur la technologie GaN pour leur application en tant que sources sub-THz de haute puissance. La croissance du matériau sera faite au laboratoire NTU à Singapour, les caractérisations des composants seront faites à l’Université de Salamanque en Espagne dans le cadre d'une collaboration internationale. À l'IEMN, la mission consiste à s’impliquer dans le process technologique des dispositifs en salle blanche. Les différentes étapes du process seront développées et optimisées sur des épitaxies GaN sur substrat silicium / GaN sur substrat GaN / GaN sur substrat SiC.

Compétences

Le (la) candidat (e) doit avoir un niveau master ou un diplôme d’ingénieur avec un savoir au niveau des dispositifs destinés aux applications de puissance hyperfréquence. Il (elle) doit avoir une connaissance de la technologie des composants en salle blanche.
Les compétences et connaissances attendues sont :
-Connaissance des techniques de fabrication en salle blanche
-Volonté de développer de nouvelles compétences en technique de fabrication au sein d’un environnement technique évolutif
-Des connaissances en techniques de gravure (RIE, ICP, ...) seraient appréciées
-Connaissance de la physique des semi-conducteurs et de leurs applications
-Connaissance de base en caractérisation (caractérisation in-line): mesure de résistances, de transistors, ...
-Autonomie et rigueur dans l’exécution des tâches
-Savoir s’adapter et travailler en équipe
-Avoir le sens de l’organisation et de la communication

Contexte de travail

Le candidat va intégrer le groupe PUISSANCE à l’IEMN qui est spécialisée dans les composants et dispositifs à base de GaN pour les applications de puissance hyperfréquence et THz. Ce groupe a un savoir-faire en simulation, caractérisation et fabrication technologique de dispositifs.
Le candidat va travailler dans le cadre d’une collaboration internationale avec l’université de Salamanque en Espagne et le NTU de Singapour.
L’activité est essentiellement orientée par un travail en salle blanche sous la responsabilité de Mme Marie LESECQ responsable des activités liées à la technologie en salle blanche.
Il aura une formation spécifique à la sécurité relative à la salle blanche et sera initié aux techniques particulières d’ordre technologique pour utiliser les différentes ressources disponibles.


Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.