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Portail > Offres > Offre UMR8520-FRELEF-010 - Ingénieur en fabrication de dispositifs à base de semiconducteur GaN H/F

Ingénieur en fabrication de dispositifs à base de semiconducteur GaN H/F


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Informations générales

Référence : UMR8520-FRELEF-010
Lieu de travail : VILLENEUVE D ASCQ
Date de publication : mardi 30 octobre 2018
Type de contrat : CDD Technique/Administratif
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 janvier 2019
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : De 2097 à 2502 euros bruts mensuels selon expérience
Niveau d'études souhaité : Bac+5
Expérience souhaitée : Indifférent

Missions

Le (ou la) candidat(e) recruté(e) travaillera avec les chercheurs du groupe de recherche Composants et Dispositifs Microondes de Puissance dont l'activité est liée à la conception, la fabrication et la caractérisation de composants de puissance pour les applications de puissance hyperfréquence. Il (ou elle) devra participer à l'activité du groupe dans la CMNF (Centrale de Micro et Nanofabrication) et sera amené(e) à développer ou optimiser des procédés technologiques en vue d'obtenir des composants GaN de hautes performances pour des applications de puissance hyperfréquence.

Activités

- Mettre en œuvre les composants de puissance sous la direction de la responsable des activités technologiques du groupe
- Assurer un soutien technique aux chercheurs du groupe .
- Concevoir, fabriquer et caractériser, en collaboration avecles chercheurs du groupe, les composants de puissance pour les applications de puissance hyperfréquence.
- Participer à l'activité du groupe dans la CMNF (Centrale de Micro et Nanofabrication)
- Développer ou optimiser des procédés technologiques.

Compétences

- Connaissances dans le domaine des semiconducteurs et des transistors à effet de champ.
- Expérience des activités spécifiques en salle blanche souhaitée
- Etre rigoureux (se), faire preuve de minutie
- Avoir des aptitudes pour un travail en équipe.
- Faire preuve d'autonomie
- Savoir organiser les tâches qu'on lui confie avec rigueur.

Contexte de travail

Le (ou la) candidat(e) sera employé(e) du CNRS avec une affectation au laboratoire IEMN dans le groupe composants et dispositifs microondes de puissance. https://www.iemn.fr/la-recherche/les-groupes/groupe-puissance
L'activité proposée entre dans le cadre d'une collaboration scientifique avec le CRHEA (Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) et le GREMAN (Matériaux, Miroélectronique, Acoustique et Nanotechnologies).
L'objectif est le développement de composants innovants en technologie GaN pour des applications en ondes millimétriques.

Contraintes et risques

L'activité sera surtout effectuée dans la CMNF de l'IEMN avec les contraintes liées à son environnement spécifique. Cette salle blanche dispose de tous les équipements nécessaires pour la fabrication de microdispositifs.

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