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Portail > Offres > Offre UMR8520-DOMVIG-001 - Chercheur croissance de matériaux 2D (H/F)

Chercheur croissance de matériaux 2D (H/F)

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Français - Anglais

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Informations générales

Référence : UMR8520-DOMVIG-001
Lieu de travail : VILLENEUVE D ASCQ
Date de publication : vendredi 28 février 2020
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 18 mois
Date d'embauche prévue : 4 mai 2020
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : à partir de 2643 euros bruts mensuels selon expérience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : Indifférent

Missions

La personne recrutée intégrera le groupe EPIPHY (Epitaxie et Physique des hétérostructures) de l'Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie à Villeneuve d'Ascq (IEMN, https://www.iemn.fr/). Sa mission consistera en la croissance et la caractérisation de matériaux 2D et leurs hétérostructures, impliquant notamment le nitrure de bore hexagonal (hBN), dans le cadre du projet Flag-Era 2019 2DHetero.

Activités

L'objectif principal du projet consiste à développer la croissance de matériaux 2D (hBN, graphène) et de leurs hétérostructures par des techniques proches de l'épitaxie par jets moléculaires, pour utilisation à terme dans des composants électroniques. C'est un travail expérimental, réalisé essentiellement en salle blanche. La personne retenue sera également amenée à caractériser les propriétés physiques et structurales des matériaux ainsi obtenus par diverses techniques d'analyse adaptées à des matériaux ne comportant que quelques plans atomiques, telles que les spectroscopies de photoémission ou Raman, les microscopies électronique à balayage ou de force atomique…

Compétences

Avoir soutenu une thèse de doctorat est obligatoire, la spécialité pouvant être la physique des matériaux ou de la matière condensée, les micro–nanotechnologies (liste non exhaustive). Une expérience significative en croissance de matériaux par des techniques telles que l'épitaxie par jets moléculaires ou le dépôt chimique en phase vapeur sera particulièrement appréciée. La maîtrise des techniques de caractérisation mentionnées précédemment et/ou une expérience des procédés technologiques en salle blanche sont également un plus. Une bonne maîtrise de l'anglais, à l'écrit comme à l'oral, est indispensable, ainsi que la capacité de travailler en équipe.

Contexte de travail

Le groupe EPIPHY de l'IEMN (https://www.iemn.fr/la-recherche/les-groupes/epiphy) est spécialisé dans la croissance épitaxiale de semiconducteurs III-V et de matériaux 2D (graphène...). Nous interagissons fortement avec les collègues du groupe CARBON de l'IEMN pour ce qui concerne la réalisation de composants à partir des matériaux 2D et des hétérostructures que nous réalisons. Ce travail sera réalisé dans le cadre du projet Flag-Era 2DHetero, le consortium regroupant le Leibniz Insitute für innovative Mikroelectronik (IHP, Frankfurt/Oder, Allemagne), l'Université de Namur (Belgique) et l'IEMN.

Contraintes et risques

Travail expérimental principalement réalisé en salle blanche.

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