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Portail > Offres > Offre UMR8191-GREDIP-004 - Post-doctorant(e) en nanofabrication de mémoires magnétiques H/F

Post-doctorant(e) en nanofabrication de mémoires magnétiques H/F

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : samedi 12 décembre 2020

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Informations générales

Référence : UMR8191-GREDIP-004
Lieu de travail : GRENOBLE
Date de publication : samedi 31 octobre 2020
Type de contrat : CDD Technique/Administratif
Durée du contrat : 18 mois
Date d'embauche prévue : 1 mars 2021
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 2648€ à 3054€
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

L'électronique basse consommation tire profit des mémoires non volatile magnétique (MRAM) de par leur intégration avec des composants CMOS, permettant ainsi de construire de la logique non volatile. Cette solution a un grand intérêt pour les objets connectés de l'internet des objets (IoT). L'élément principal de la MRAM est la Jonction Tunnel Magnétique (JTM). Celle-ci est com-posée d'une couche magnétique de référence ayant une aimantation d'orientation fixe et d'une couche magnétique de stockage ayant une aimantation réversible, séparée par une barrière iso-lante.
Le projet ANR MISTRAL propose des solutions innovantes pour améliorer les systèmes de cryp-tographie embarquée dans les objets connectés tout en assurant une bonne intégrité des données sécurisées à leur plus haut niveau d'exigence. Il est donc nécessaire d'évaluer et comparer les al-gorithmes de cryptographie légère et leur contremesure contre les fautes liées à des attaques. Ceci est nécessaire afin d'extraire les paramètres électriques des composants et leur consommation. A partir de cette analyse, des spécifications de contremesures contre les fautes dues au attaques pourront être proposées, tout en prenant en compte les bénéfices que peut apporter l'intégration de mémoires magnétiques dans les circuits CMOS.
Pour réaliser cette étude il est nécessaire de fabriquer des composants MRAM nanométriques de taille allant de 20 à 100nm de diamètre et de les caractériser afin d'en extraire toutes les in-formations électriques et magnétiques ainsi que leur sensibilité à différentes attaques.

Activités

- Nano fabrication de jonctions tunnel magnétiques (JTM) de taille entre 20 et 100nm.
- Amélioration du rendement et des étapes critiques de nano fabrication (ion-beam etching, contacts électriques)
- Caractérisation structurelle et électrique (SEM, FIB).
- Amélioration de flot de fabrication pour des tailles inférieures à 10nm. Développement de modules de procédé de fabrication.

Compétences

- Doctorat en nanotechnologie, nanoélectronique. La réalisation de démonstrateurs fonctionnels de nanofabrication en salle blanche est indispensable.
- Une affinité pour le travail expérimental est souhaitée et des connaissances dans les module de procédé de fabrication est un plus (lithographie e-beam lithography, IBE (ion beam etching),RIE(reactive ion etching), dépôt de métal).
- Caractérisation électrique et rédaction de rapports des résultats.
- Bonne capacité de travail en équipe (interactions avec les autres membres de l'équipe et du personnel technique)

Contexte de travail

Spintec est un laboratoire de recherche sous les tutelles CEA, CNRS et Université Grenoble Alpes. Notre mission est d'apporter aux applications innovantes industrielles des solutions issues de notre recherche fondamentale sur les composants spintronique. Nous développons des MRAM depuis l'année 2002 avec le développement de flots de fabrication. Les concepts développés ont amené à l'incubation de plusieurs startups dans le domaine : Crocus Technology, eVaderis, Hprobe, Antaïos. Les développements des procédés se font dans un environnement de salle blanche moderne en utilisant les outils de la PTA (Plateforme Technologique Amont : http://pta-grenoble.com/) affiliée au réseau Renatech. Le projet se déroulera au sein du laboratoire d'accueil à Grenoble en collaboration avec plusieurs partenaires.

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