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Portail > Offres > Offre UMR7647-HOLVAC-001 - Modification des propriétés des matériaux avec les nanoclusters de silicium non tétraédriques (H/F)

Modification des propriétés des matériaux avec les nanoclusters de silicium non tétraédriques (H/F)

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Informations générales

Référence : UMR7647-HOLVAC-001
Lieu de travail : PALAISEAU
Date de publication : jeudi 23 juillet 2020
Type de contrat : CDD Technique/Administratif
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 novembre 2020
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : Pour un IR débutant (<3 ans d'expérience) le salaire brut mensuel est de ordre de 2 510 €
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

Le travail de recherche entrant dans le cadre de ce projet prématuration fait suite à celui réalisé au cours d'une thèse soutenue en 2016 et aux années qui ont suivi jusqu'à ce jour. Les résultats obtenus ont donné lieu au dépôt d'un premier brevet et à une publication. Ils ont permis de confirmer expérimentalement les prédictions théoriques sur les propriétés des nanoclusters de silicium (SiNCs) aromatiques qui se forment dans des plasmas basse pression à base de silane. Le sujet de ce projet concerne l'ajustement du travail de sortie de matériaux à l'aide de ces SiNCs. Le travail sera mené dans le cadre d'une large collaboration nationale impliquant des spécialistes travaillant sur les sources d'ions négatifs pour le chauffage des plasmas de fusion dans les Tokamak, les propulseurs plasma des satellites pour l'exploration de l'espace lointain et etc… Le travail concernera aussi les propriétés THz de ces SiNCs et d'autres propriétés fascinantes. Il visera aussi à la détermination des conditions plasma optimales pour la croissance des SiNCs et les épaisseurs des couches adaptées à chacune des applications visées.

Activités

L'ingénieur mènera les activités suivantes :
- La poursuite du travail déjà entamé en améliorant les performances du réacteur utilisé
- La recherche des conditions plasma optimales pour la croissance des nanoclusters SiNCs
- Le Dépôt et la caractérisation des couches minces de SiNCs
- La préparation des échantillons pour les différents partenaires en recherchant les propriétés les plus adaptées à chacune des applications
- Le suivi des travaux de caractérisation réalisés chez nos partenaires

Compétences

- Connaissance des techniques de dépôts par plasma
- Connaissance de quelques moyens de caractérisation des couches minces de silicium telles que TEM, SEM, XRD, FTIR, ellipsométrie etc…
- Motivation, enthousiasme et désir d'explorer de nouveaux aspects des matériaux en silicium pour des applications plus larges, plus importantes et immédiates

Contexte de travail

Ce projet s'inscrit dans un programme de prématuration du CNRS qui a pour objectif de soutenir les premières étapes de développement des projets innovants, dans la perspective d'amener leurs résultats de recherche à un stade suffisamment avancé et permettre, directement ou suite à une phase de maturation, leur transfert vers l'industrie ou la création d'entreprises.
Les activités se déroulent au Laboratoire de Physique des Interfaces et Couches Minces (LPICM) à l'Ecole Polytechnique, Palaiseau, France.
Les travaux du laboratoire s'orientent autour de la physique et des technologies de matériaux et de dispositifs électroniques et optiques en couches minces: par exemple, cellules solaires photovoltaïques et capteurs. Le succès du laboratoire est basé sur une forte synergie entre les expériences, les applications et la modélisation théorique.

Contraintes et risques

Comme dans toutes les expériences du laboratoire, il y a un certain risque dû à la manipulation des gaz comme le silane à très faible concentration pour la production des nanoclusters de silicium.

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