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Portail > Offres > Offre UMR7334-DELSTU-042 - Caractérisation structurale par TEM de couches minces de Germanium Antimoine Tellure pour Mémoires à Changement de Phase H/F

Caractérisation structurale par TEM de couches minces de Germanium Antimoine Tellure pour Mémoires à Changement de Phase H/F

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : mercredi 29 juin 2022

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Informations générales

Référence : UMR7334-DELSTU-042
Lieu de travail : MARSEILLE 13
Date de publication : mercredi 8 juin 2022
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 septembre 2022
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : entre 2743.70 et 3896.73€ brut mensuel selon expérience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

STMicroelectronics développe des mémoires à changement de phase (PCM) basées sur un alliage Germanium Antimoine Tellure (GST). Ce "matériau exotique", qui fait appel à des mécanismes physiques radicalement différents de ceux utilisés avec les technologies de mémoire Flash, apporte une solution plus efficace aux difficultés d'intégration des procédés soulevées par la transition vers le nœud technologique CMOS 28 nm. Cette technologie tire parti du changement des propriétés physiques du matériau, lors de son basculement entre un état amorphe ou cristallin. Ce basculement, extrêmement rapide, est contrôlé par la température induite par le passage d'un courant. La PCM, dont la lecture et l'écriture s'effectue à basse tension, présente plusieurs atouts substantiels par rapport aux mémoires Flash et les aux autres technologies de mémoires embarquées.

Activités

En collaboration avec STMicroelectronics, l'équipe NOVA du laboratoire IM2NP étudie le changement de phase lors de recuits thermiques rapides. L'objectif de ce poste de chercheur est d'étudier l'influence des paramètres du processus sur la cristallisation de l'alliage.
Le-la candidat-e effectuera une caractérisation intensive des structures épitaxiales en utilisant :
- la microscopie TEM :
- HRTEM
- GPA (Analyse de phase géométrique)
- la microscopie STEM :
- HAADF
- EDS
Le-la candidat-e sera également en charge de la préparation des échantillons TEM en utilisant :
- un système de polissage mécanique conventionnel
- un système PIPS (polissage ionique de précision)
- un système FIB (Faisceau d'ions focalisé)

Compétences

Le-la candidat-e devra avoir une expérience préalable en TEM et une expertise dans le domaine des semi-conducteurs épitaxiés.

Contexte de travail

Laboratoire : Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence (IM2NP)
Page web : https://www.im2np.fr/en
Localisation : Marseille, France
Addresse : Faculté des Sciences, Service 142, Avenue Escadrille, Normandie Niémen, 13397 Marseille Cedex 20
Equipe de recherche : NOVA (https://www.im2np.fr/en/node/258)

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