Missions

Soutien des activités de recherche su laboratoire en élaboration de matériaux semi-conducteurs en couches minces (épitaxie). Le poste est ouvert dans le cadre d'un projet de recherche financé au titre des Programmes et Equipements Prioritaires pour la Recherche (PEPR Electronique) et vise le développement d'une filière nationale de capteurs opérant en milieux agressifs. Les missions de l'ingéineur recrutés seront centrées sur la prise en charge des activités de croissance en couches fines d'un matériau du laboratoire et leur caractérisation. Les missions seront également orientées vers la communication des résultats dans le cadre du projet.

Activités

Le travail proposé s'inscrit dans une activité expérimentale d'élaboration d'hétérostructures à base de Carbure de Silicium. Cette activité comprend la prise en charge des procédés d'élaboration par la technique CVD, la caractérisation structurale (DRX, MEB et FTIR) des couches déposées ainsi que le suivi des procédés technologiques réalisés sur ces couches en lien direct avec les partenaires en charge de ces taches au sein du projet. Le développement de structuration spécifiques de ces couches pourra faire l'objet d'une partie de l'activité en fonction des impératifs du projet.

Compétences

Une première expérience acquise avec la technique d'élaboration d'Epitaxie en Phase Vapeur (EPV - CVD en anglais) serait appréciée. Une connaissance de l'environnement salle blanche serait un plus.

Contexte de travail

Le Centre de Recherche pour l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (CRHEA) est un laboratoire de recherche CNRS/UCA spécialisé dans l'épitaxie des matériaux semi-conducteurs à grande bande interdite comme les matériaux nitrures d'éléments III (GaN, AlN), l'oxyde de zinc (ZnO), le carbure de silicium (SiC) et leur micro- et nanofabrication en salle blanche. Le CRHEA étudie également les matériaux 2D comme le graphène, ou le nitrure de bore.
Les grands domaines couverts par le CRHEA concernent la transition énergétique, les communications du futur, l'environnement et la santé. Le CRHEA effectue également des études fondamentales en nanosciences et en croissance cristalline.
Les matériaux à grande énergie de bande interdite sont des éléments clefs pour l'électronique de puissance, l'électronique à très haute fréquence, l'éclairage à base de LEDs et les nouvelles générations de micro-afficheurs. Les sources lasers fonctionnant dans le visible et dans l'Ultra-Violet réalisées au CRHEA ont des applications multiples pour l'éclairage, la biophotonique et pour la purification de l'eau. Le CRHEA développe également des composants dans le domaine THz, des circuits photoniques, des composants optiques avancés à base de métasurfaces, des applications en spintronique, des capteurs et s'implique dans le développement des technologies quantiques.
Le laboratoire dispose de huit réacteurs de croissance par épitaxie par jets moléculaires et de six réacteurs de croissance en phase vapeur. Il dispose également d'outils de caractérisation structurale des matériaux et une salle blanche pour la micro et nanofabrication.

Contraintes et risques

Le / la candidate doit avoir un Doctorat en Sciences des Matériaux.