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Portail > Offres > Offre UMR5270-SYLGON-063 - CDD Ingénieur de Recherche en croissance épitaxiale de couches minces (H/F)

CDD Ingénieur de Recherche en croissance épitaxiale de couches minces (H/F)


Date Limite Candidature : mardi 16 décembre 2025 23:59:00 heure de Paris

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Informations générales

Intitulé de l'offre : CDD Ingénieur de Recherche en croissance épitaxiale de couches minces (H/F)
Référence : UMR5270-SYLGON-063
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : ECULLY
Date de publication : mardi 25 novembre 2025
Type de contrat : IT en contrat CDD
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 février 2026
Quotité de travail : Complet
Rémunération : A partir de 3175 Euros brut par mois, selon expérience
Niveau d'études souhaité : BAC+5
Expérience souhaitée : Indifférent
BAP : B - Sciences chimiques et Sciences des matériaux
Emploi type : Ingenieure ou ingenieur de recherche en science des materiaux / elaboration

Missions

La personne recrutée aura pour mission d’assurer la réalisation de structure épitaxiées. Elle participera également à la maintenance et l’optimisation des équipements au sein de la plateforme NANOLYON site Ecully (~450m² en classe ISO7-ISO5). Elle participera aux projets de recherche de l’équipe Matériaux de l’INL. Elle formera et encadrera les utilisateurs.

Activités

Les activités principales seront : Attaché(e) au pôle Epitaxie de la plateforme Nanolyon, ses principales missions seront les suivantes :
• Assurer les opérations de fabrication des couches minces/hétérostructures de semiconducteurs III-V et d’oxydes par épitaxie par jets moléculaires (EJM) : croissance sur les équipements d’épitaxie et caractérisation en utilisant les différents outils de mesure disponibles à l’INL).
• Assurer le suivi des procédés et de ses équipements et optimiser les processus.
• Participer aux opérations de maintenance des équipements d’épitaxie et à leur mise à niveau.
•Utiliser des procédés de technologies en salle blanche

La personne recrutée travaillera dans le cadre du projet ANR Solbiopec, l’ingénieur devra fabriquer des photocathodes à base de semiconducteurs III-V GaAs/GaAsP/AlGaAs protégées de l’oxydation dans l’électrolyte par des couches minces cristallines de SrTiO3. Les hétérostructures III-V et le SrTiO3 seront fabriquées par EJM. L’un des enjeux sera, en interaction avec les partenaires du projet, d’optimiser le transfert des charges de l’électrolyte vers la photocathode en étudiant et en optimisant l’effet du dopage de l’hétérostructure III-V et du SrTiO3. La composition des alliages III-V sera également optimisée pour optimiser la structure de bande vis-à-vis de la réaction chimique dans l’électrolyte. Des étapes de technologie de base pourront également être réalisées (dépôts de contacts face arrière par exemple) pour caractériser les électrodes.

Compétences

Compétences techniques
• Sciences des matériaux (connaissance approfondie dans la croissance cristalline)
• Techniques d'élaboration des matériaux (connaissance approfondie de l’épitaxie par jets moléculaires)
• Techniques de caractérisation de matériaux (connaissance en diffraction des Rayons X , photoluminescence, mesures électriques des matériaux en couches minces )
• Informatique de pilotage et de traitement de données
• Risques professionnels
• Langue anglaise : B2 à C1 (cadre européen commun de référence pour les langues)

Compétences opérationnelles
• Définir et mettre en œuvre un protocole d'élaboration, de préparation, de mise en forme et de traitement des matériaux
• Élaborer un cahier des charges technique
• Établir un diagnostic
• Résoudre des dysfonctionnements
• Diagnostiquer l'origine d'une panne
• Appliquer les règles d'hygiène et de sécurité
• Encadrer / Animer une équipe

Savoirs-être :
Rigueur, réactivité, force de proposition, organisation, bon relationnel
Travail en équipe technique et interaction avec les utilisateurs de la plateforme.

Contexte de travail

L’Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) a pour vocation de développer des recherches technologiques multidisciplinaires dans le domaine des micro et nanotechnologies et de leurs applications. Les recherches menées s’étendent des matériaux aux systèmes. Le laboratoire s’appuie sur la plate-forme technologique NanoLyon qu’il héberge.
Les domaines d’application visés couvrent de grands secteurs économiques : l’industrie des semiconducteurs, les technologies de l’information, les technologies du vivant et de la santé, l’énergie et l’environnement.
Le laboratoire est multi-sites avec des localisations sur les campus d’Ecully et de Lyon-Tech La Doua. Il regroupe environ 240 personnes dont 121 personnels permanents. L’INL est un acteur majeur du Pôle de Recherche et d’Enseignement.
Le poste proposé se situe dans un environnement innovant, à la pointe des technologies du futur, dans des secteurs stratégiques applicatifs.
Le poste est rattaché à la plateforme technologique de Nanolyon site Ecully comprenant 5 ITA et sous la responsabilité d’un cadre technique. Le travail se déroule principalement en environnement de salle blanche.
Le poste est affecté à 100% sur le site INL Ecully avec la possibilité de se déplacer ponctuellement sur le site INL Doua (Villeurbanne).


Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.