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Chercheur spécialiste des propriétés électroniques des dispositifs Terahertz (H/F)

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
- Français-- Anglais

Date Limite Candidature : vendredi 2 juin 2023

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Informations générales

Intitulé de l'offre : Chercheur spécialiste des propriétés électroniques des dispositifs Terahertz (H/F)
Référence : UMR5221-FRETEP0-001
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : MONTPELLIER
Date de publication : vendredi 12 mai 2023
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 18 mois
Date d'embauche prévue : 2 octobre 2023
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : Entre 2833€ et 4003€ bruts mensuels selon expérience
Niveau d'études souhaité : Niveau 8 - (Doctorat)
Expérience souhaitée : Indifférent
Section(s) CN : Matière condensée : structures et propriétés électroniques

Missions

Les missions de la personne recrutée seront essentiellement d'étudier les propriétés électroniques de nano-dispositifs à base de silicium, en tant que détecteur efficace du rayonnement THz. Ces capteurs seront placés dans des conditions extrêmes (en milieu aqueux ou dans un fort champ magnétique) pour évaluer leur potentiel d'application en agronomie, en biophysique, et éventuellement dans les technologies quantiques.

Activités

Pour ce faire, il sera nécessaire de caractériser ces MOSFET par photoconductivité THz selon différents paramètres physiques. Plus précisément, il s'agira d'étudier leur sensibilité THz et leur puissance équivalente de bruit, en fonction de la fréquence incidente, de la température, de la densité de porteurs, de la température et du champ magnétique. D'autres matériaux seront testés, comme le graphène par exemple, et comparés aux capacités des détecteurs Si-MOSFET. Le poste implique la rédaction d'articles scientifiques et de brevets. Il est également attendu de la personne recrutée qu'elle présente régulièrement ses résultats lors de réunions d'avancement de projet et de conférences dédiées.

Compétences

La personne recrutée devra avoir une connaissance approfondie de la physique des systèmes électroniques bidimensionnels, des équipements THz, des nano-dispositifs électroniques et des systèmes cryogéniques.

Contexte de travail

Ces travaux seront menés dans le cadre d'un programme prioritaire de recherche (PEPR) dédié à l'électronique. Le travail se fera en étroite collaboration avec divers autres laboratoires français, notamment à Paris et Bordeaux.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Contraintes et risques

Les contraintes et les risques sont ceux inhérents à un travail expérimental dans un laboratoire de physique du solide (manipulation de fluides cryogéniques, utilisation d'équipements électriques, de champ magnétique et de sources lumineuses relativement intenses).