En poursuivant votre navigation sur ce site, vous acceptez le dépôt de cookies dans votre navigateur. (En savoir plus)
Portail > Offres > Offre UMR5129-MARCLO-102 - ingénieur de recherche en microélectronique (H/F) : Ingénieur R&D en intégration de semi-conducteurs III-V/Si

ingénieur de recherche en microélectronique (H/F) : Ingénieur R&D en intégration de semi-conducteurs III-V/Si


Date Limite Candidature : mardi 23 septembre 2025 23:59:00 heure de Paris

Assurez-vous que votre profil candidat soit correctement renseigné avant de postuler

Informations générales

Intitulé de l'offre : ingénieur de recherche en microélectronique (H/F) : Ingénieur R&D en intégration de semi-conducteurs III-V/Si
Référence : UMR5129-MARCLO-102
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : GRENOBLE
Date de publication : mardi 2 septembre 2025
Type de contrat : IT en contrat CDD
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 janvier 2026
Quotité de travail : Complet
Rémunération : Entre 3143.64€ bruts et 3403.43€
Niveau d'études souhaité : BAC+5
Expérience souhaitée : 1 à 4 années
BAP : B - Sciences chimiques et Sciences des matériaux
Emploi type : Ingenieure ou ingenieur en science des materiaux / caracterisation

Missions

L’intégration de matériaux semi-conducteurs III-V sur une plateforme technologique Si constitue un défi majeur pour les prochaines années dans le domaine de la microélectronique. Les semi-conducteurs III-V offrent une mobilité électronique bien supérieure à celle du Si et du Ge, permettant d’atteindre des fréquences de coupure plus élevées pour les transistors RF. Leur bande interdite ajustable et leur capacité à former des hétérostructures offrent la possibilité de réaliser des fonctions optoélectroniques à hautes performances.
Dans ce contexte, la mission consiste à étudier la croissance d’hétérostructures de semi-conducteurs III-V sur différents types de substrats, afin de réaliser des dispositifs optoélectroniques et microélectroniques. Une connaissance dans le domaine de l’évaluation de l’impact des filières d’intégration serait un atout, afin d’optimiser la chaîne de fabrication en salle blanche. Le(la) candidat(e) aura pour mission de mener les expériences de croissance et de caractérisation des hétérostructures, ainsi qu’une première évaluation des impacts.

Activités

- Maîtrise en croissance et caractérisation de couches minces
- Connaissance de procédés technologiques en salle blanche (dépôt, lithographie, gravure)
- Maitrise des techniques de caractérisation AFM, MEB, Raman, PL,..
- Connaissance des méthodes d’évaluation d’impact
- Analyse des résultats
-

Compétences


- Connaissances théoriques
o Physique/chimie/sciences des matériaux
o Anglais parlé et écrit
- Savoir-faire opérationnels
o Caractérisation par microscopie électronique
o Micro/nano fabrication
o Caractérisation physico-chimiques
- Savoir-être
o Qualité relationnelle (travail en équipe)
o Etre capable de respecter les consignes (travail dans un environnement CEA avec le nécessité de pouvoir appliquer la règlementation du CEA et du CNRS)

Contexte de travail

Le LTM est une unité mixte de recherche CNRS/Université Grenoble Alpes, comportant 2 pôles de recherche pour un total d’environ 90 personnes. Le laboratoire est situé le site du CEA-LETI à Grenoble.
La personne recrutée exercera ses fonctions au sein de l'équipe « Nanomatériaux & Intégration », et travaillera en collaboration avec les autres membres de cette équipe ainsi que le personnel du CEA-Leti.

Contraintes et risques

Néant