En poursuivant votre navigation sur ce site, vous acceptez le dépôt de cookies dans votre navigateur. (En savoir plus)
Portail > Offres > Offre UMR5129-MARCLO-013 - CDD chercheur en Microélectronique : Fabrication et caractérisation des CAPAMOS à base d'AlN/GaN (H/F)

CDD chercheur en Microélectronique : Fabrication et caractérisation des CAPAMOS à base d'AlN/GaN (H/F)

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Assurez-vous que votre profil candidat soit correctement renseigné avant de postuler. Les informations de votre profil complètent celles associées à chaque candidature. Afin d’augmenter votre visibilité sur notre Portail Emploi et ainsi permettre aux recruteurs de consulter votre profil candidat, vous avez la possibilité de déposer votre CV dans notre CVThèque en un clic !

Faites connaître cette offre !

Informations générales

Référence : UMR5129-MARCLO-013
Lieu de travail : GRENOBLE
Date de publication : vendredi 10 janvier 2020
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 avril 2020
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 2617€ à 3017€ bruts
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

Une des problématiques majeures de transistors HEMT GaN est la forte densité des défauts d'interface entre l'oxyde de grille (high-k) et le canal. En plus la qualité des contacts Schottky au niveau de la grille représente un enjeu majeur, car au-delà d'affecter les performances, leur dégradation impact le fonctionnement même du transistor. Dans ce contexte, le/la candidat(e) s'attachera à l'élaboration et la caractérisation des différents diélectriques, dont l'AlN, sur le matériau GaN. Dans un deuxième temps, le/la candidat(e) participera à la fabrication et à la caractérisation électrique de structures de test de type capacité MOS (MOSCAP) à la PTA.

Activités

-Dépôt d'oxyde high-k sur substrat GaN dont l'AlN et analyse physico-chimique de la qualité de l'interface high-k/GaN par X-ray Photoelectrons Spectrocopy (XPS), TEM, Raman et ellipsométrie
-Fabrication de structures de test de type capacité MOS (MOSCAP)
-Analyse des résultats

Compétences

1/ connaissances théoriques
- Physique de composants
- Anglais écrit et parlé

2/ savoir-faire opérationnels :
- travail salle blanche : maitrise des règles de sécurité
-Micro- et nano-fabrication
-Caractérisation physico-chimique

3/ Savoir-être :
- Qualités relationnelles (travail en équipe)
- Etre capable de respecter les consignes (travail dans un environnement CEA avec le nécessité de pouvoir appliquer la règlementation du CEA et du CNRS)

Contexte de travail

Le LTM est une unité mixte de recherche CNRS/Université Grenoble Alpes, comportant 6 équipes dont 4 de recherche et compte environ 90 personnes. Le laboratoire est situé le site du CEA-LETI à Grenoble.
La personne recrutée exercera ses fonctions au sein de l'équipe « Nanomatériaux & Intégration », et travaillera en collaboration avec les autres membres de cette équipe.

Contraintes et risques

aucun

On en parle sur Twitter !