Post-doctorant en micro-électronique ou en physique des matériaux (H/F)
Nouveau
- Chercheur en contrat CDD
- 12 mois
- Doctorat
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Cette offre est ouverte aux personnes disposant d’un titre leur reconnaissant la qualité de travailleur handicapé ou travailleuse handicapée.
L'offre en un coup d'oeil
L'unité
Laboratoire Ampère
Type de Contrat
Chercheur en contrat CDD
Temps de Travail
Complet
Lieu de Travail
69621 VILLEURBANNE
Durée du contrat
12 mois
Date d'Embauche
15/09/2026
Rémuneration
A partir de 3.071 € brut mensuel selon expérience
Postuler Date limite de candidature : mercredi 17 juin 2026 23:59
Description du Poste
Les Missions
Sujet : Caractérisations physiques et électrique de composants GaN verticaux ou pseudo-verticaux
La transition énergétique nécessitera des dispositifs électriques de puissance capables de gérer des tensions et des courants élevés. Bien que le marché actuel des convertisseurs électroniques soit dominé par la technologie à base de silicium, ces dispositifs électroniques présentent des pertes intrinsèques élevées en raison des propriétés physiques limitées du silicium. Grâce à leurs propriétés physiques, les semi-conducteurs à large bande interdite (WBG) tels que le nitrure de gallium (GaN) sont particulièrement intéressants pour l'électronique de puissance. Le GaN possède un champ électrique critique important (jusqu'à 3,3MV/cm), une large bande interdite (3,4eV), et donc la capacité de fonctionner à une tension plus élevée. L'objectif de ce travail de post-doctorat est de comprendre les liens entre la qualité des matériaux et les performances électriques des dispositifs de GaN verticaux et semi-verticaux. Pour cela des caractérisations physiques (spectroscopie micro-Raman, la photoluminescence et la cathodo-luminescence) et électriques avancées (DLTS, OBIC…) seront couplées. En particulier, nous voulons clarifier :
- Quel est l’impact du substrat (GaN, silicium saphir…) sur les couches épitaxiées ?
- Quels défauts du substrat et des couches épitaxiées sont critiques pour les performances électriques du composant ?
L'Activité
- Recherche et développement.
- Participation à des conférences.
- Rédaction d'articles.
- Encadrement de stagiaires et doctorant.
Votre Profil
Compétences
Le candidat devra être titulaire d’un doctorat en micro-électronique ou en physique des matériaux
• Si possible avoir une expérience en caractérisation physique ou électrique de matériaux grand gap
Votre Environnement de Travail
Le travail de post-doctorat sera réalisé au laboratoire Ampère (site INSA de Lyon), dans le cadre du projet PEPR Vertigo (financement France 2030).
Contraintes et risques
Risques électriques (habilitation électrique à prévoir),risques chimiques (formation spécifique au risque chimique, fiche d’exposition individuelle)) et risque laser (fiche d’exposition individuelle).
Rémunération et avantages
Rémunération
A partir de 3.071 € brut mensuel selon expérience
Congés et RTT annuels
44 jours
Pratique et Indemnisation du TT
Pratique et indemnisation du TT
Transport
Prise en charge à 75% du coût et forfait mobilité durable jusqu’à 300€
À propos de l’offre
| Référence de l’offre | UMR5005-THIMOR-003 |
|---|---|
| Section(s) CN / Domaine de recherche | Micro- et nanotechnologies, micro- et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique |
| Expérience souhaitée | 1 à 4 années |
À propos du CNRS
Le CNRS est un acteur majeur de la recherche fondamentale à une échelle mondiale. Le CNRS est le seul organisme français actif dans tous les domaines scientifiques. Sa position unique de multi-spécialiste lui permet d’associer les différentes disciplines pour affronter les défis les plus importants du monde contemporain, en lien avec les acteurs du changement.
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