En poursuivant votre navigation sur ce site, vous acceptez le dépôt de cookies dans votre navigateur. (En savoir plus)

H/F Doctorant - Nouvelle technologie de transistors verticaux à grille ferroélectrique pour les applications IA

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : samedi 10 juillet 2021

Assurez-vous que votre profil candidat soit correctement renseigné avant de postuler. Les informations de votre profil complètent celles associées à chaque candidature. Afin d’augmenter votre visibilité sur notre Portail Emploi et ainsi permettre aux recruteurs de consulter votre profil candidat, vous avez la possibilité de déposer votre CV dans notre CVThèque en un clic !

Faites connaître cette offre !

Informations générales

Référence : IRL2820-GUILAR-003
Lieu de travail : TOULOUSE
Date de publication : samedi 29 mai 2021
Nom du responsable scientifique : Guilhem Larrieu
Type de contrat : CDD Doctorant/Contrat doctoral
Durée du contrat : 36 mois
Date de début de la thèse : 1 octobre 2021
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 2 135,00 € brut mensuel

Description du sujet de thèse

Contexte: Alors que l'intelligence artificielle (IA) et les techniques d'apprentissage automatique bénéficient d'un intérêt soutenu dans un large éventail de domaines d'application, l'outil informatique numérique actuel est encore largement limité pour déployer efficacement l'IA, en particulier en terme d'efficacité énergétique. De nouvelles percées technologiques au niveau des dispositifs sont nécessaires pour permettre les prochaines révolutions de l'IA avec de nouvelles formes adaptées à ces technologies. Les transistors verticaux à nanofils à grille enrobante, une technologie de rupture où le LAAS-CNRS est l'une des références mondiales, permet d'accéder à des agencements de dispositifs véritablement 3D, tout en bénéficiant de miniaturisation très poussée permettant des améliorations d'échelle en termes d'efficacité énergétique. De plus, la découverte récente de la ferroélectricité dans certaines couches diélectriques compatibles CMOS (HfO2 par exemple) suscite beaucoup d'intérêt pour ajouter un stockage non volatile de l'information dans des dispositifs à ultra basse consommation. En effet, un tel matériau d'oxyde de grille peut conserver une polarisation permanente du champ électrique induisant un état de transistor (passant ou bloqué) en l'absence de polarisation électrique. Dans le cadre du nouveau projet européen FVLLMONTI, nous avons pour objectif de développer et d'étudier une technologie de ferro-transistor verticale à base de nanofils capable de jouer le rôle d'un élément mémoire et qui peut naturellement être empilée pour former des réseaux de neurones 3D.
Sujet de thèse : Nous recherchons un doctorant motivé pour travailler sur le développement technologique de ferro-transistors à nanofils verticaux disruptifs. Les activités de ce projet de doctorat comprennent (i) une revue de la littérature scientifique des dispositifs ferroFET récents, (ii) la conception de l'architecture en lien avec le partenaire modèle TCAD (Global TCAD Solution, Autriche) et le partenaire expert en matériaux ferroélectriques (NamLab, Allemagne) (iii ) l'intégration de matériaux ferroélectriques innovants sur la topologie de nanofils verticaux et la fabrication de dispositifs de ferro-transistor vertical, (iv) leur caractérisation électrique et physique et (v) la démonstration / étude de stratégies d'intégration pour des applications complexes de réseaux neuronaux.

Contexte de travail

: Avec un grand nombre de chercheurs permanents, d'ingénieurs et de doctorants ainsi que des interactions fortes avec l'industrie, le LAAS-CNRS se situe à la croisée de la recherche scientifique, de l'innovation et des applications, où la science rencontre les nanotechnologies en lien étroit avec la société. Le LAAS-CNRS possède l'une des plus importantes installations technologiques dédiées à la recherche en Europe, avec une salle blanche ultra-moderne de 1600 m². Le doctorant sera associé aux activités nano & neuroélectronique (équipe MPN) qui jouissent d'une reconnaissance dans le développement de nano-dispositifs fonctionnels pour des applications nano- et bio-électroniques. Le projet se déroulera principalement dans le laboratoire d'accueil à Toulouse, mais l'étudiant chercheur travaillera dans un contexte de recherche internationale très stimulant dans le cadre du projet européen FVLLMONTI, avec d'éventuels échanges à court terme avec les partenaires du projet.

Contraintes et risques

Les candidats talentueux et enthousiastes possédant d'excellentes capacités d'analyse et de communication en anglais sont encouragés à postuler. Le candidat, diplômé MASTER, aura de bonnes connaissances théoriques en science des matériaux et / ou en physique des dispositifs semi-conducteurs, une forte persévérance dans les travaux expérimentaux, une confiance dans le traitement des produits chimiques et une capacité à travailler dans un environnement international.

Informations complémentaires

Les candidatures doivent inclure une lettre de motivation, un curriculum vitae complet, une copie des diplômes pertinents indiquant les notes et les coordonnées de 2 références,

On en parle sur Twitter !