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H/F PostDoc nanoelectronique - Transistors à nanofils verticaux empilés en 3D pour de nouvelles architectures de cellule logique.

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : lundi 4 octobre 2021

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Informations générales

Référence : UPR8001-GUILAR-001
Lieu de travail : TOULOUSE
Date de publication : lundi 13 septembre 2021
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 24 mois
Date d'embauche prévue : 1 novembre 2021
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : entre 2648,79€ et 3050€ brut par mois selon experience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

Alors que l'intelligence artificielle (IA) et les techniques d'apprentissage automatique bénéficient d'un intérêt soutenu dans un large éventail de domaines d'application, l'outil informatique actuel est encore largement limité pour déployer efficacement l'IA, en particulier en terme d'efficacité énergétique. De nouvelles percées technologiques au niveau des dispositifs sont nécessaires pour permettre les prochaines révolutions de l'IA avec de nouvelles architectures adaptées à ces technologies. Les transistors verticaux à nanofils à grille enrobante, une technologie de rupture où le LAAS-CNRS est l'une des références mondiales, permet d'accéder à des agencements de dispositifs véritablement 3D, tout en bénéficiant de miniaturisation très poussée permettant des améliorations d'échelle en termes d'efficacité énergétique. Cette architecture est une extension naturelle des architectures FinFET actuelles, où la grille, définie verticalement, est totalement enroulée autour du canal de conduction des transistors, conduisant à un fort renforcement du contrôle électrostatique des porteurs circulant dans le canal. Dans le cadre du nouveau projet européen FVLLMONTI, nous visons à développer et à étudier une nouvelle architecture de calcul basée sur l'agencement de transistors verticaux empilés dans le volume pour explorer des paradigmes de calcul haute performance et économes en énergie.
La mission est d'imaginer et développer ces architectures de transistors empilés basées sur des réseaux de nanofils verticaux en étroite collaboration avec des partenaires de conception (INL) et de modélisation TCAD (GTS). Les travaux, orientés vers la technologie, couvrent un large spectre de recherche allant du matériau au dispositif à la pointe de la recherche mondiale et permettent le développement d'un large spectre de compétences (science des matériaux à l'échelle nanométrique, nanofabrication, caractérisation physique et électrique).

Activités

- Conception de la technologie basée sur des échanges avec le partenaire expert en modèle TCAD (Global TCAD Solution, Autriche) et le partenaire expert en conception de circuits (INL, France)
- Développement des routes de procédé de transistors à effet de champ verticaux empilés, intégrant les nouveaux modules technologiques.
- Nanofabrication de la technologie des transistors à nanofils verticaux empilés en 3D.
- Caractérisation structurelle (SEM, FIB)
- Caractérisation électrique détaillée de la technologie des transistors unitaires aux cellules logiques.

Compétences

- Doctorat en nanoélectronique/nanotechnologie, (obtenu au cours des trois dernières années).
- Des démonstrations réussies de nanofabrication dans un environnement de salle blanche sont obligatoires et un goût prononcé de travail expérimental. La connaissance de la lithographie par faisceau électronique est un plus.
- Capacité à écrire et à parler de manière fluide en anglais (rencontres internationales, rapports et échanges dans le cadre du projet européen).
- Bonne capacité de travail en équipe (interactions à prévoir avec les autres membres du consortium du projet ainsi qu'avec le personnel technique)

Contexte de travail

Avec un grand nombre de chercheurs permanents, d'ingénieurs et de doctorants ainsi que des interactions fortes avec l'industrie, le LAAS-CNRS se situe à la croisée de la recherche scientifique, de l'innovation et des applications, où la science rencontre les nanotechnologies en lien étroit avec la société. Le LAAS-CNRS possède l'une des plus importantes installations technologiques dédiées à la recherche en Europe, avec une salle blanche ultra-moderne de 1600 m². Le chercheur sera associé aux activités nano & neuroélectronique (au sien de MPN) qui possède une reconnaissance dans le développement de nano-dispositifs fonctionnels pour des applications nano- & bio- électroniques. Le projet se déroulera principalement dans le laboratoire d'accueil à Toulouse, mais le chercheur travaillera dans un contexte de recherche internationale très stimulant dans le cadre du projet européen FVLLMONTI, avec d'éventuels échanges court terme avec les partenaires du projet.

Informations complémentaires

Veuillez fournir un CV, une liste de publications, une déclaration d'intérêt pour le projet (une page) ainsi que 2-3 références avec numéro de téléphone et e-mail.
Les candidatures avec une expérience de moins de 2 ans après le doctorat sont souhaitées mais les candidats ayant plus d'expérience seront également considérés.
Début : Automne 2021.

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