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H/F : Chercheur Contractuel pour l'étude des défauts dans le GaN pour l'Électronique de Puissance

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
- Français-- Anglais

Date Limite Candidature : lundi 22 juillet 2024 23:59:00 heure de Paris

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Informations générales

Intitulé de l'offre : H/F : Chercheur Contractuel pour l'étude des défauts dans le GaN pour l'Électronique de Puissance
Référence : UPR8001-ANNHEM-010
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : TOULOUSE
Date de publication : lundi 1 juillet 2024
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 18 mois
Date d'embauche prévue : 1 octobre 2024
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : entre 2991 et 4345€ brut mensuel selon expérience
Niveau d'études souhaité : Niveau 8 - (Doctorat)
Expérience souhaitée : Indifférent
Section(s) CN : Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Missions

Le projet cherche à répondre aux défis du développement durable et de l'autonomie énergétique en concevant de nouveaux composants de puissance, notamment des interrupteurs, basés sur des semi-conducteurs à large bande interdite comme le GaN. L'utilisation du GaN promet des performances supérieures et une réduction significative des pertes par rapport au silicium.

L'étude théorique prévue vise à identifier les défauts dans le GaN et les hétérostructures GaN/Si, GaN/AlGaN, comme les lacunes, les interstitiels, ou les impuretés résiduelles, responsables de la dégradation des performances des dispositifs. Ces défauts peuvent influencer de manière significative les performances des composants électroniques, en modifiant par exemple la mobilité des porteurs de charge ou la durée de vie des porteurs minoritaires. Cette exploration se fera à l'aide de méthodes fondées sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) et l'approximation GW, qui permettront une compréhension fine des caractéristiques atomiques et électroniques de ces matériaux. Les données acquises sur les défauts identifiés seront intégrés en tant que données d'entrée dans les modèles de conception dits TCAD existants et permettront d'améliorer leur précision, dans l'objectif d'optimiser les performances et la fiabilité des futurs dispositifs, ouvrant la voie à des avancées significatives dans le domaine de l'électronique de puissance.

Le/La chercheur /chercheuse contractuel.le sera chargé.e de la caractérisation structurale et électronique des clusters de défauts dans les matériaux semiconducteurs. Le but sera de connaitre l’impact de ces défauts sur les propriétés macroscopiques des matériaux.

Activités

- Identifier et étudier les clusters de défauts à l'aide de calculs de type ab initio (Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (DFT) et du couplage ART/DFT
- Caractériser les propriétés électroniques de clusters de défauts à l'aide de technique GW
- Comparaison à l'expérience (collaboration interne au LAAS, avec Afrique du Sud)
- implémentation des résultats dans les codes industriels

Compétences

- Doctorat en physique, science des matériaux ou nanotechnologie
- Des compétences solides en modélisation : structure électronique, dynamique moléculaire
- Capacité à écrire et à parler de manière fluide en anglais (rencontres internationales, rapports et échanges dans le cadre du projet).
- Bonne capacité de travail en équipe (interactions à prévoir avec les autres membres du consortium du projet ainsi qu'avec les industriels)

Contexte de travail

Le projet se déroulera principalement au LAAS-CNRS intégré à l'équipe M3. Le chercheur profitera aussi des collaborations multiples nationales et internationales que l'équipe M3 du LAAS-CNRS possède à l'heure actuelle. Le LAAS-CNRS possède également un cluster de calculs et de nombreux accès aux mésocentres de calculs nationaux, qui seront mis à disposition pour réaliser les travaux.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.