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Portail > Offres > Offre UPR10-MICPEF-039 - CDD Ingénieur en épitaxie et caractérisations de films minces H/F.

CDD Ingénieur en épitaxie et caractérisations de films minces H/F.


Date Limite Candidature : mercredi 2 février 2022

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Informations générales

Référence : UPR10-MICPEF-039
Lieu de travail : VALBONNE
Date de publication : mercredi 12 janvier 2022
Type de contrat : CDD Technique/Administratif
Durée du contrat : 18 mois
Date d'embauche prévue : 1 avril 2022
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : entre 2 487,24€ et 2 667,57€ bruts mensuels selion niveau d'expérience comprise entre 1 et 5 ans
Niveau d'études souhaité : Ingénieur
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

Elaborer par épitaxie et caractériser des films minces de semiconducteurs de type GaN; aider au suivi du projet GaN4AP.

Activités

Les activités couvrent l'homoépitaxie de films de GaN, l'hétéroépitaxie de couches ScAlN/GaN, les caractérisations de films minces au niveau structural (AFM, DRX, MEB) et électrique (C-V, effet Hall) ainsi que le suivi de projet (échéanciers, livrables, ressources).

Compétences

Epitaxie, science des matériaux, physique du solide

Contexte de travail

Le CRHEA est un laboratoire du CNRS spécialisé dans l'épitaxie et l'étude de matériaux semiconducteurs. Dans le cadre du projet européen Key Digital Technologies Joint Undertaking GaN4AP (https://www.kdt-ju.europa.eu/projects/gan4ap), le laboratoire élabore des composés tels que GaN, AlN et ScAlN en vue de la fabrication de nouveaux dispositifs électroniques de puissance. Le travail consistera à réaliser et à caractériser des échantillons d'épitaxie de films minces destinés aux partenaires du projet. Il consistera également à assister le responsable scientifique du projet dans le suivi et la gestion du projet. L'ingénieur recruté interagira avec les ingénieurs et chercheurs responsables des ressources affectées au projet pour mener à bien ces missions.

Contraintes et risques

Sans objet

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