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Portail > Offres > Offre UMR8520-FRELEF-091 - Ingénieur en technologie des composants GaN H/F

Ingénieur en technologie des composants GaN H/F


Date Limite Candidature : mercredi 23 juin 2021

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Informations générales

Référence : UMR8520-FRELEF-091
Lieu de travail : VILLENEUVE D ASCQ
Date de publication : mercredi 2 juin 2021
Type de contrat : CDD Technique/Administratif
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 septembre 2021
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : A partir de 2461 euros bruts mensuels.
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

La mission de l'ingénieur consistera à fabriquer des dispositifs à semiconducteur dans la centrale de Micro Nano Fabrication (CMNF) de l'Institut. Le candidat devra travailler sur les différentes étapes du procédé technologique de fabrication de dispositifs de la filière nitrure de gallium (GaN).

Activités

L'objectif principal de l'activité consiste à réaliser des dispositifs en CMNF à l'aide de procédés bien établis, de contribuer à l'amélioration continue de ceux-ci et de participer au développement de nouveaux procédés. Les dispositifs concernés sont de la filière GaN et peuvent répondre à différentes applications hyperfréquence et THz. A titre d'exemple, le groupe PUISSANCE travaille sur le développement de HEMTs (High Electron Mobility Transistors), de SSD (Self-Switching Diodes), etc …
Le matériau GaN utilisé pour la fabrication des dispositifs est de différentes origines : le CRHEA, la société SOITEC BELGIUM, le laboratoire NTU de Singapour …

Compétences

Le (la) candidat (e) doit avoir une thèse de doctorat spécialité micro – nanotechnologie avec un savoir au niveau des composants nanométriques destinés aux applications hyperfréquence et THz.
Il doit avoir une bonne expérience de la technologie des composants en salle blanche et avoir mené à bien les différentes étapes technologiques inhérentes à la fabrication de dispositifs à semiconducteur.
Les compétences attendues sont :
- Connaissance des techniques de fabrication en salle blanche
- Des compétences en gravure (RIE, ICP, …) seront appréciées
- Connaissance de la physique des semi-conducteurs et de leurs applications
- Connaissance de base en caractérisation (caractérisation in-line) : mesure de résistances, de transistors, …
- Autonomie et rigueur dans l'exécution des tâches
- Savoir s'adapter et travailler en équipe
- Avoir le sens de l'organisation et de la communication

Contexte de travail

Le candidat va intégrer le groupe PUISSANCE à l'IEMN qui est spécialisé dans les composants et dispositifs à base de GaN pour les applications de puissance hyperfréquence et THz. Ce groupe a un savoir-faire en simulation, caractérisation et fabrication technologique de dispositifs.
L'activité est essentiellement orientée vers un travail en salle blanche mais pourra également comprendre des mesures des dispositifs réalisés.
Il aura une formation spécifique à la sécurité relative en salle blanche et sera initié aux techniques particulières d'ordre technologique pour utiliser les différentes ressources disponibles.
L'IEMN est une Unité Mixte de Recherche associant le CNRS, l'Université de Lille, l'Université Polytechnique Hauts-de-France, Centrale Lille et l'ISEN JUNIA. Ses équipements de conception, fabrication et caractérisation de dispositifs se situent au meilleur niveau européen. L'institut regroupe environ 230 permanents (professeurs, chercheurs, ingénieurs et personnels administratifs) et environ 150 doctorants. Les recherches menées à l'IEMN couvrent un vaste domaine allant de la physique des matériaux et des nanostructures aux systèmes de télécommunications et à l'instrumentation acoustique et micro-ondes. L'équipe PUISSANCE de l'IEMN travaille notamment sur les composants et dispositifs de puissance basés sur le matériau GaN. Elle a une activité en fabrication, caractérisation et modélisation.

Contraintes et risques

Travail en salle blanche

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