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Ingénieur de recherche H/F fabrication de dispositifs à base de semiconducteurs grand gap en salle blanche.


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Informations générales

Référence : UMR8520-FRELEF-036
Lieu de travail : VILLENEUVE D ASCQ
Date de publication : lundi 30 septembre 2019
Type de contrat : CDD Technique/Administratif
Durée du contrat : 24 mois
Date d'embauche prévue : 2 décembre 2019
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : A partir de 2423 euros bruts mensuels selon expérience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

L'ingénieur (e) de recherche recruté(e) intégrera le groupe Composants et Dispositifs Microondes (PUISSANCE) de l'Institut d'Electronique de Microélectronique et Nanotechnologie IEMN. Sa mission consistera à fabriquer des dispositifs à base de semiconducteur grand gap dans la salle blanche de l'Institut. Le (la) candidat (e) devra travailler sur les différentes étapes du procédé technologique de fabrication des dispositifs qui devront ensuite être caractérisés électriquement.

Activités

- Principalement réaliser des oscillateurs THz basés sur l'effet Gunn et des détecteurs THz basés sur les non-linéarités des diodes SSD (Self-Switching Diodes). L'objectif final est de réaliser pour la première fois un oscillateur Gunn à base de GaN, à la frontière mm / sous-mm, soit environ 300 GHz associé à un détecteur. La croissance du matériau sera faite au laboratoire NTU de Singapour dans le cadre d'une collaboration internationale. À l'IEMN, l'ingénieur(e) de recherche recruté(e) sera impliqué dans le développement du procédé technologique de fabrication des dispositifs en salle blanche et leur caractérisation. Les différentes étapes du procédé seront développées et optimisées selon différentes approches, l'agent devra :
- réaliser une résistance de contact la plus faible possible pour améliorer la fréquence de fonctionnement des diodes Gunn.
- Optimiser l'isolation des tranchées à l'aide de deux techniques. Celles-ci sont basées sur la technologie RIE / ICP à base de chlore pour la gravure sèche ou l'implantation de N+ utilisant différentes énergies et doses.

Les diodes seront ensuite caractérisées électriquement, l'agent devra :
- Caractériser les dispositifs en utilisant des techniques de base en courant continu, telles que I-V, C-V, impulsions I-V, tension de claquage, etc., Ces mesures seront également nécessaires pour obtenir un retour d'information pour la croissance du matériau au laboratoire NTU, pour l'adaptation du procédé technologique à IEMN et pour l'adaptation de modèle physique (simulation Monte-carlo) réalisé à Salamanque.
- effectuer des mesures hyperfréquences, telles que des mesures de paramètre S petit signal et des caractérisations THz des dispositifs fabriqués, afin d'obtenir des informations pour les conceptions de prototypes intégrés.
- effectuer des mesures de bruit à ces fréquences qui permettront également de fournir des informations sur la présence ou l'absence d'oscillation Gunn à des fréquences plus élevées.

Compétences

- Avoir une thèse de doctorat spécialité micro – nanotechnologie avec un savoir au niveau des composants nanométriques destinée aux applications hyperfréquence et THz.
- avoir une bonne expérience de la technologie des composants en salle blanche et avoir mené à bien les différentes étapes technologiques inhérentes à la fabrication de dispositifs à semiconducteur.
- avoir des compétences dans la physique des semiconducteurs et de leurs applications.

Contexte de travail

Le candidat va intégrer le groupe PUISSANCE à l'IEMN qui est spécialisée dans les composants et dispositifs à base de GaN pour les applications de puissance hyperfréquence et THz. Ce groupe a un savoir-faire en simulation, caractérisation et fabrication technologique de dispositifs.

Le candidat va travailler dans le cadre d'une collaboration internationale avec l'université de Singapour
L'activité est essentiellement orientée par un travail en salle blanche sous la responsabilité de Mme Marie LESECQ responsable des activités liées à la technologie pour le groupe PUISSANCE. Elle comprendra également la réalisation de mesures des dispositifs réalisés.
Une formation spécifique à la sécurité relative à la salle blanche sera dispensée et sera initiée aux techniques particulières d'ordre technologique pour l'utilisation des différentes ressources disponibles.

Contraintes et risques

Travail en salle blanche

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