Chercheur CDD : Conception et fabrication de composants de puissance innovants (H/F)
Nouveau
- Chercheur en contrat CDD
- 12 mois
- Doctorat
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Cette offre est ouverte aux personnes disposant d’un titre leur reconnaissant la qualité de travailleur handicapé ou travailleuse handicapée.
L'offre en un coup d'oeil
L'unité
Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie
Type de Contrat
Chercheur en contrat CDD
Temps de Travail
Complet
Lieu de Travail
59652 VILLENEUVE D ASCQ
Durée du contrat
12 mois
Date d'Embauche
02/11/2026
Rémuneration
A partir de 3072 euros bruts mensuels selon expérience
Postuler Date limite de candidature : vendredi 31 juillet 2026 23:59
Description du Poste
Les Missions
La personne recrutée contribuera au développement technologique de composants électroniques à base de nitrure de gallium pour applications RF, micro-ondes et millimétriques dans le cadre d’un projet européen. Elle participera à la fabrication de véhicules de test et de dispositifs en salle blanche, au suivi des étapes technologiques, à l’analyse des résultats de procédé et à l’interface avec les activités de caractérisation électrique et RF menées à l’IEMN.
L'Activité
Réaliser et suivre des étapes de fabrication en salle blanche sur matériaux et hétérostructures GaN.
Participer aux procédés de lithographie optique et électronique, dépôts métalliques et diélectriques, gravure, passivation, métallisation et recuits technologiques.
Contribuer à la fabrication de composants et véhicules de test destinés à l’évaluation électrique, RF et technologique.
Assurer le suivi des lots, la traçabilité des procédés, la compilation des paramètres technologiques et l’analyse des dérives éventuelles.
Interagir avec les équipes de caractérisation afin de corréler les performances électriques aux choix technologiques.
Participer à la rédaction de comptes rendus techniques, rapports internes et livrables liés au projet.
Votre Profil
Compétences
Connaissances solides en microélectronique, composants semiconducteurs et technologies de fabrication en salle blanche.
Expérience souhaitée en procédés de fabrication de composants III-V ou grands gaps, notamment GaN, SiC ou matériaux apparentés.
Maîtrise ou bonne connaissance des procédés de lithographie, métallisation, gravure, passivation et caractérisation technologique.
Capacité à analyser des résultats expérimentaux, identifier les causes possibles de dérive technologique et proposer des actions correctives.
Rigueur expérimentale, sens de la traçabilité, autonomie, capacité à travailler dans un environnement collectif et fortement instrumenté.
Bon niveau d’anglais scientifique et technique pour l’échange avec les partenaires du projet et la rédaction de documents.
Votre Environnement de Travail
Le poste est ouvert au sein de l’IEMN, dans l’équipe WIND, dans le cadre d’un projet européen consacré au développement de technologies GaN avancées pour composants RF, micro-ondes et millimétriques.
La personne recrutée travaillera en interaction avec les personnels de recherche, ingénieurs et techniciens impliqués dans la fabrication, la caractérisation et l’analyse de composants GaN. Les activités s’appuieront sur les moyens technologiques de la centrale de micro et nanofabrication de l’IEMN ainsi que sur les plateformes de caractérisation électrique et RF.
Le travail s’inscrit dans un environnement collaboratif associant partenaires académiques et industriels européens. Les résultats obtenus contribueront à l’évaluation de briques technologiques, de véhicules de test et de composants destinés à des démonstrateurs.
Contraintes et risques
Le poste implique un travail régulier en salle blanche et le respect strict des procédures d’accès, d’hygiène, de sécurité et de traçabilité propres aux plateformes technologiques.
Les activités peuvent nécessiter l’utilisation d’équipements de microfabrication, de produits chimiques, de gaz, de procédés sous vide, de hautes températures, de plasmas et de sources électriques. Les formations de sécurité obligatoires seront suivies avant toute utilisation autonome des équipements concernés.
Le poste peut être soumis aux règles d’accès en zone à régime restrictif, ainsi qu’aux obligations de confidentialité liées aux activités de recherche et au projet européen.
Rémunération et avantages
Rémunération
A partir de 3072 euros bruts mensuels selon expérience
Congés et RTT annuels
44 jours
Pratique et Indemnisation du TT
Pratique et indemnisation du TT
Transport
Prise en charge à 75% du coût et forfait mobilité durable jusqu’à 300€
À propos de l’offre
| Référence de l’offre | UMR8520-FARMED-021 |
|---|---|
| Section(s) CN / Domaine de recherche | Micro- et nanotechnologies, micro- et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique |
| Expérience souhaitée | 1 à 4 années |
À propos du CNRS
Le CNRS est un acteur majeur de la recherche fondamentale à une échelle mondiale. Le CNRS est le seul organisme français actif dans tous les domaines scientifiques. Sa position unique de multi-spécialiste lui permet d’associer les différentes disciplines pour affronter les défis les plus importants du monde contemporain, en lien avec les acteurs du changement.
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