Missions

Récemment, le CRHEA et le laboratoire LN2 ont développé des empilements de couches originaux afin de contourner les problèmes liés à l'hétéro-épitaxie du GaN sur Silicium et augmenter la tension de claquage des transistors de puissance. Une première démonstration encourageante a permis d'obtenir le soutien du CNRS à travers le projet REVOLUGaN pour développer des composants avec des tensions de claquage supérieures à 1 kV. Dans ce contexte, un(e) ingénieur(e) de recherche doit être recruté(é) afin d'aider à ces développements et assurer le bon déroulement du projet qui nécessite des cycles d'optimisation.

Activités

l’ingénieur(e) recruté(e) pour une période de 15 mois participera à une première campagne d’épitaxie des matériaux au CRHEA avant de rejoindre le LN2 pour y réaliser et mesurer des composants de test. Il/Elle reviendra ensuite au CRHEA pour une seconde campagne d’épitaxie avant de rejoindre le LN2 pour la phase finale du projet.

Compétences

Pour mener à bien ces missions, le/la candidat(e) doit présenter des connaissances en science des matériaux et en physique du solide.

Contexte de travail

Les matériaux nitrures d’éléments (III-N) dont fait partie le GaN constituent aujourd’hui la seconde famille de semiconducteurs utilisés après le Silicium. Ces semiconducteurs à grande largeur de bande interdite sont désormais présents dans différents types de composants pour l’éclairage et l’affichage (LEDs), le stockage de données (diodes laser), les applications hyperfréquences (transistor RF HEMT), et des nouveaux composants (transistors, diodes) sont développés pour convertir l’énergie électrique. Pour réduire les coûts de fabrication de ces dispositifs il est essentiel de pouvoir intégrer ces matériaux dans les filières de la microélectronique Silicium afin de bénéficier de ses avantages et notamment de la disponibilité d’outils de fabrication capable de traiter des substrats de grande taille. Cependant, la synthèse du matériau GaN par hétéro-épitaxie sur des substrats de Silicium se heurte à de nombreuses difficultés qui limitent sévèrement les degrés de liberté dans le design des empilements de matériaux pour réaliser des composants et en conséquence la qualité des matériaux et les performances des dispositifs.
Récemment, le CRHEA et le laboratoire LN2 ont développé des empilements de couches originaux afin de contourner ces problèmes et augmenter la tension de claquage des transistors de puissance. Une première démonstration encourageante a permis d’obtenir le soutien du CNRS à travers le projet REVOLUGaN pour développer des composants avec des tensions de claquage supérieures à 1 kV. Dans ce contexte, un(e) ingénieur(e) de recherche doit être recruté(e) afin d’aider à ces développements et assurer le bon déroulement du projet qui nécessite des cycles d’optimisation.


Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.