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H/F Chercheur en photonique pour la mise au point technologique d'une filière optique intégrée SiN

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

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Informations générales

Référence : UMR5270-VIRLAG-004
Lieu de travail : VILLEURBANNE
Date de publication : mercredi 29 juillet 2020
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 octobre 2020
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 2 675 et 3 084€ Brut/Mois (selon experience)
Niveau d'études souhaité : Bac+5
Expérience souhaitée : Indifférent

Missions

Dans le cadre du projet européen IPCEI, en collaboration avec ST Microelectronics, le workpackage « Development of new sensors based on Silicon photonics » vise à développer des nouveaux concepts de guides d'onde optique pour augmenter la sensibilité de capteurs photoniques pour la réalisation de gyroscopes ou de détecteurs de particules intégrés dédié au marché de l'automobile. ST Microelectronics a développé une plateforme industrielle DAPHNE sur substrat de 300 mm pour la réalisation de composants photoniques en silicium ou SiN. Pour adresser de nouveaux marchés tel que l'automobile, de nouvelles fonctionnalités doivent être développées. L'obtention de ces nouvelles fonctionnalités nécessite l'hybridation de matériaux fonctionnels ou de développer des étapes de procédé qui ne sont pas disponibles sur la plateforme DAPHNE. Pour diminuer les coûts de développement, les nouveaux concepts imaginés par l'INL seront préalablement réalisés sur la plateforme universitaire de Nanolyon et. Le savoir-faire sera ensuite transféré sur la plateforme DAPHNE. L'équipe qui travaille sur le projet à l'INL est constituée de 3 permanents (R. Orobtchouk, P. Rojo Romeo, A. Belarouci) et de 2 doctorants. Le postdoctorant travaille ra sous la responsabilité de Régis Orobtchouk.

Activités

Pour assurer la compatibilité des procédés de fabrication des 2 plateformes, ST Microelectronics fournira des wafers de silicium de 300 mm comprenant une couche d'isolation optique de silice de 2 µm d'épaisseur sur laquelle sera déposée une couche de SiN de 0.35 µm d'épaisseur. Le reste de la technologie permettant d'obtenir les guides half hetch slot sera réalisée à l'INL Les couches bas indice de réfraction et de SiN sont dans un premier temps déposées par PECVD ou sputtering. Les guides sont ensuite définis par lithographie laser et gravure ICP. Pour diminuer les pertes de propagation des guides, les étapes de lithographie et de gravure seront optimisées. Un procédé de dépôt de couche d'alumine dopée erbium devra également être optimisé pour réaliser des résonateurs en anneau à gain afin d'augmenter la sensibilité des gyroscopes.
La caractérisation des composants nécessitera de mettre au point une procédure de collage de fibre optique sur des coupleurs à réseau de diffraction pour étudier les gyroscopes en rotation.
La formation salle blanche sur les différents appareillages, ainsi que celle sur les bancs de caractérisation sera assuré par les membres de l'équipe du projet.

Compétences

Le candidat devra avoir un gout prononcé pourle travail experimental. Une première expérience dans la caractérisation optique de matériaux (ellipsometrie) ou optique integrée serait appréciée.

Contexte de travail

L'INL a acquis une renommée dans le domaine de la conception et de la caractérisation de composants en photonique sur silicium. Cette activité c'est renforcée récemment avec la création de 2 laboratoires communs avec le CEA LETI et ST Microelectronics. Il est l'un des laboratoires fondateur de l'Université Mixte Internationale (UMI) avec l'université de Sherbrooke. Il dispose d'outils de modélisation commerciaux (Rsoft, Lumerical) et a développé ses propres logiciels (RCWA, FDFT, mode matching) pour concevoir des composants d'optique intégrée. Il a également mis en place des bancs de caractérisation par couplage par la tranche ou par réseau de diffraction dans la gamme du proche infra-rouge (1.2 à 1.7 µm). Sa plateforme Nanolyon de fabrication possède 3 salle blanche avec tous les appareillages de dépôt, lithographie et gravure propre à la réalisation de 1er dispositifs pour mener une recherche exploratoire allant de l'idée jusqu'à la preuve de concept.

Contraintes et risques

Chercheur avec moins de 2 ans d'expérience après sa thèse. Le chercheur devra se déplacer sur les 3 sites de l'INL.

Informations complémentaires

La date limite de réception des CV est fixée au 31 aout 2020

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