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CDD chercheur (H/F) Fabrication de fils d’AlGaN et de GaN pour la réalisation de sources bétavoltaiques

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
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Date Limite Candidature : lundi 20 octobre 2025 23:59:00 heure de Paris

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Informations générales

Intitulé de l'offre : CDD chercheur (H/F) Fabrication de fils d’AlGaN et de GaN pour la réalisation de sources bétavoltaiques
Référence : UMR5129-MARCLO-104
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : GRENOBLE
Date de publication : lundi 29 septembre 2025
Type de contrat : Chercheur en contrat CDD
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 janvier 2026
Quotité de travail : Complet
Rémunération : Entre 2991€ et 3417€
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années
Section(s) CN : 08 - Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Missions

Ce travail s'inscrit dans le cadre du projet ANR NOBEL de l’AAPG 2023 qui rassemble 4 partenaires : le LTM/CNRS, le pheliqs/CEA, l’institut Néel/CNRS et le CREAH/CNRS. La finalité du projet est la fabrication de sources bétavoltaiques en utilisant une nouvelle architecture filaire dite cœur-coquille qui permettrait de surmonter les limitations de rendements des sources bétavoltaiques existantes. L’objectif du contrat est l’élaboration de nanofils de GaN ou d’AlGaN à fort facteur de forme en utilisant une approche top down, cette étape étant clé dans l’intégration. Ces fils seront ensuite exploités par les partenaires du projet qui réaliseront les étapes technologiques suivantes pour la fabrication de la source bétavoltaique

Activités

Le travail sera réalisé sur les réacteurs de gravure 200 et 300mm du LTM localisés dans les salles blanches du CEA/Leti. Il s’agira de :
1) Créer le design lithographique adapté aux besoins (GDS)
2) Développer/optimiser des procédés de gravure plasma de fils d’AlGaN et de GaN à fort facteur de forme
3) Appliquer des traitements humides à base de KOH pour restaurer les surfaces des fils gravés
4) Caractériser les procédés morphologiquement (SEM, FIB-STEM, AFM) et optiquement par cathodoluminescence
5) Faire l’interface avec les autres équipes du projet

Compétences

Compétences techniques requises: GDS (avec Klayout), Procédés de gravure plasma (RIE) et gravure humide, Microscopie électronique , cathodoluminescence, III-N semiconducteurs
Autres compétences: anglais écrit/parlé

Contexte de travail

Ce travail sera effectué au Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (LTM), unité mixte de recherche du CNRS et de l'Université Grenoble Alpes (UGA) (UMR 5129) situé sur le site du CEA-LETI-MINATEC à Grenoble. Une centaine de personnes travaillent au LTM : 30 Chercheurs ou enseignants chercheurs, 18 Ingénieurs et Techniciens, 31 doctorants et 16 post doc. Les activités du laboratoire se positionnent à la frontière entre recherche académique amont et recherche industrielle. Le LTM a ainsi développé au fil des années plusieurs partenariats directs avec différents acteurs de l'industrie micro/nanoélectronique notamment STMicroelectroniques à Crolles et Applied Materials à SAnta Clara (USA). Le candidat rejoindra l’équipe « PROSPECT » du LTM. Cette équipe vise le développement de procédés et matériaux innovants pour les dispositifs avancés de la nano/optoélectronique.