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CDD chercheur/post-doc en microélectronique (H/F) : Fabrication et étude de dispositifs optoélectroniques à base de semiconducteurs III-As et III-P sur

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : vendredi 29 octobre 2021

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Informations générales

Référence : UMR5129-MARCLO-050
Lieu de travail : GRENOBLE
Date de publication : vendredi 8 octobre 2021
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 11 mois
Date d'embauche prévue : 1 février 2022
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : Entre 2663€ à 3069€ bruts mensuels
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

L'intégration de matériaux semi-conducteurs III-V sur une plateforme technologique Si constitue un défi majeur pour les prochaines années dans le monde de la microélectronique. Ces matériaux, de par leur bande interdite directe, offre la possibilité de réaliser des sources de lumière allant du visible à l'infra-rouge lointain (et ultra-violet pour la famille III-N). Ces composants sont actuellement réalisés en épitaxie sur des substrats de GaAs, d'InP ou de GaSb. Une voie plus exploratoire consiste à faire croitre directement la structure d'intérêt sur un substrat de silicium, ce qui présente, entre autre, comme intérêt de se passer du substrat III-V et de travailler directement sur des substrats Si compatibles avec l'industrie CMOS. Certains éléments de la colonne III et V étant considérés comme critiques (Sb, P, In, Ga notamment), cela permet également de limiter leur consommation.

Dans ce contexte, la mission consiste à mettre en place une filière d'intégration de semiconducteurs III-V pour réaliser des dispositifs optoélectroniques, de type diodes NIP. Le(la) candidat(e) s'attachera à développer l'ensemble des procédés technologiques nécessaires à la réalisation et la caractérisation de dispositifs fonctionnels.

Activités

- Procédés technologiques en salle blanche (dépôt, lithographie, gravure)
- Caractérisation des propriétés physico-chimiques
- Fabrication et caractérisation de structures tests de type diodes
- Analyse des résultats
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Compétences

- Connaissances théoriques
o Physique/chimie/sciences des matériaux
o Anglais parlé et écrit
- Savoir-faire opérationnels
o Procédés technologiques en salle blanche
o Micro/nano fabrication
o Caractérisation physico-chimiques
- Savoir-être
o Qualité relationnelle (travail en équipe)
o Etre capable de respecter les consignes (travail dans un environnement CEA avec le nécessité de pouvoir appliquer la règlementation du CEA et du CNRS)

Contexte de travail

Le LTM est une unité mixte de recherche CNRS/Université Grenoble Alpes, comportant 6 équipes dont 4 de recherche pour un total d'environ 90 personnes. Le laboratoire est situé le site du CEA-LETI à Grenoble.
La personne recrutée exercera ses fonctions au sein de l'équipe « Nanomatériaux & Intégration », et travaillera en collaboration avec les autres membres de cette équipe ainsi que le personnel du CEA-Leti.

Contraintes et risques

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