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Portail > Offres > Offre IRL3288-PHICOQ2-008 - H/F Croissance de matériaux bi-dimensionel pour le développement de diodes Tunnel

H/F Croissance de matériaux bi-dimensionel pour le développement de diodes Tunnel

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
- Français-- Anglais

Date Limite Candidature : vendredi 3 mai 2024

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Informations générales

Intitulé de l'offre : H/F Croissance de matériaux bi-dimensionel pour le développement de diodes Tunnel
Référence : IRL3288-PHICOQ2-008
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail :
Date de publication : vendredi 12 avril 2024
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 4 juin 2024
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 4000 et 4300€ bruts mensuels + émoluments selon expérience.
Niveau d'études souhaité : Niveau 8 - (Doctorat)
Expérience souhaitée : 5 à 10 années
Section(s) CN : Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Missions

Ce poste est à pourvoir au sein de l'IRL CINTRA à Singapour, pour travailler sur la croissance et la caractérisation de matériaux 2D pour le développement de diodes Tunnel dans le cadre du projet ANR Tunne2D. La personne recrutée travaillera en collaboration étroite avec les autres membres de l'équipe impliqués dans cette activité à CINTRA, et également avec les partenaires à Singapour et en France.
Elle participera d'autre part à la rédaction des rapports d'activités et des publications en lien avec ce projet.

Activités

La personne recrutée travaillera sur le développement de diodes tunnel à base de matériaux 2D
L’activité pour ce poste comprendra
1- La croissance de matériaux 2D par CVD (dépôt chimique en phase vapeur)
2- La caractérisation des matériaux (Raman, AFM, TEM, etc)
3- La participation à la conception et la fabrication des diodes tunnel en partenariat avec les collaborateurs du projet
4- L’analyse des résultats de test des diodes tunnel
5- La rédaction des rapports d’activité et la participation à la rédaction des publications en lien avec ce projet

Compétences

- Doctorat en sciences des matériaux ou équivalent
- Expérience de la croissance des matériaux 2D par CVD (dépôt chimique en phase vapeur)
- Expertise dans la conception et la fabrication de dispositifs nano-électronique
- Bonnes compétences en communication et capacité à travailler avec les membres de l'équipe et les collaborateurs
- capacité à travailler en autonomie et à prendre des initiatives
- Avoir l'expérience de publier des articles de recherche dans des revues internationales

Contexte de travail

Ce poste est à pourvoir au sein de l’IRL CINTRA, laboratoire international du CNRS, situé à Singapour dont les partenaires sont le CNRS, Nanyang Technological University (NTU) et Thales. Les activités de recherche de CINTRA sont dans le domaine des nanotechnologies, nano-matériaux, nano-photonique, et sont organisées en 4 programmes liés aux applications : Energie, Haute Fréquence, Capteurs et dispositifs, optique et photonique. CINTRA compte une soixantaine de membres dont 30 doctorants et post doc. La personne recrutée travaillera au sein du programme haute fréquence sous la responsabilité du Professeur Beng Kang Tay

Contraintes et risques

Il n'y a pas de contraintes ni de risques particuliers si le candidat possède une expérience intensive du travail en salle blanche et en matière de dépôt chimique en phase vapeur et suit les protocoles.