En poursuivant votre navigation sur ce site, vous acceptez le dépôt de cookies dans votre navigateur. (En savoir plus)

H/F Modélisation des défauts aux couches d'interface dans des matériaux nanométriques

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Assurez-vous que votre profil candidat soit correctement renseigné avant de postuler. Les informations de votre profil complètent celles associées à chaque candidature. Afin d’augmenter votre visibilité sur notre Portail Emploi et ainsi permettre aux recruteurs de consulter votre profil candidat, vous avez la possibilité de déposer votre CV dans notre CVThèque en un clic !

Faites connaître cette offre !

Informations générales

Référence : UPR8001-ANNHEM-003
Lieu de travail : TOULOUSE
Date de publication : vendredi 22 novembre 2019
Nom du responsable scientifique : Anne HEMERYCK
Type de contrat : CDD Doctorant/Contrat doctoral
Durée du contrat : 36 mois
Date de début de la thèse : 13 janvier 2020
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 2 135,00 € brut mensuel

Description du sujet de thèse

La simulation multi-échelle doit anticiper les problèmes des matériaux intégrés pour des applications industrielles en offrant la possibilité de passer en revue différentes possibilités technologiques à moindre coût, pour aider à comprendre, optimiser et concevoir de nouveaux matériaux améliorés et sur mesure pour des applications spécifiques. En microélectronique, la CAO (Conception Assistée par Ordinateur) permet notamment de simuler le processus de fabrication du matériau grâce à la mise en œuvre de modèles simples et connus depuis longtemps. Pour relever le défi de l'intégration des matériaux pour la nanoélectronique, il apparaît essentiel d'introduire de nouveaux outils basés sur des modèles prédictifs dotés d'une granularité atomistique, qui fait actuellement défaut aux outils CAO. Jusqu'à présent, aucune méthodologie ne permettait de relier les conditions des procédés de fabrication à la génération de défauts dans les matériaux diélectriques, qui sont finalement responsables de la qualité et de la fiabilité des dispositifs électroniques à l'échelle nanométrique.
Pour promouvoir à nouveau les outils CAO sur la prédiction quantitative des problèmes de fiabilité, l'ambition est d'aider à la conception de nouveaux procédés à l'aide de nouveaux outils CAO atomistiques (Kinetic Monte Carlo, KMC et Lattice Kinetic Monte Carlo, LKMC).
L'objectif principal du projet de recherche sera d'explorer à l'aide de techniques de modélisation et de simulations selon une démarche multi-niveaux les propriétés structurelles, interfaciales et électroniques des défauts dans les matériaux semi-conducteurs. Le projet de recherche comprendra notamment des études sur la formation de couches interfaciales, axées sur l'interface d'oxydation thermique (Si / SiO2) et les procédés de siliciuration (Ti sur Si et SiGe). La diffusion des défauts et la ségrégation des dopants à l'interface peuvent également être envisagées. Les méthodes de calcul incluront des calculs DFT et des simulations de techniques de relaxation d'activation (ART). Ce travail nécessitera également le développement de kMC et / ou le développement de potentiels basés sur l'apprentissage automatique.

Contexte de travail

Le poste est basé au Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS-CNRS) situé à Toulouse, en France, appartenant à l'équipe Modélisation Multi niveaux des matériaux (https://www.laas.fr/public/fr/m3-multi matériaux de modélisation à l'échelle), dans le département MNBT (voir: http://www.laas.fr/)
Le doctorant bénéficiera du réseau de collaboration de l'encadrant avec Nicolas Richard du CEA à Arpajon en France, Layla Martin Samos à Trieste en Italie et le professeur Normand Mousseau à Montréal au Canada. Des discussions se tiendront dans le cadre du projet européen H2020, avec le groupe Tibor Grasser à Vienne en Autriche et Antonino La Magna à Catane en Italie, ainsi qu'avec des entreprises industrielles (STMicroelectronics, Crolles en France et Frauhofer en Allemagne).

Contraintes et risques

N/A

On en parle sur Twitter !