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Thèse - Micro-LED autoportantes sur nitrure de bore hexagonal utilisant la croissance sélective des superficies par MOVPE H/F

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : mardi 11 octobre 2022

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Informations générales

Référence : IRL2958-NADWER-051
Lieu de travail : METZ
Date de publication : mardi 20 septembre 2022
Nom du responsable scientifique : ABDALLAH OUGAZZADEN
Type de contrat : CDD Doctorant/Contrat doctoral
Durée du contrat : 36 mois
Date de début de la thèse : 1 novembre 2022
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 2 135,00 € brut mensuel

Description du sujet de thèse

L'utilisation de h-BN comme couche sacrificielle pour un procédé tel qu'une séparation mécanique « mechanical release » des dispositifs à base des semi-conducteurs III-N des substrats est une approche très prometteuse pour l'intégration hétérogène. A l'échelle industrielle, cette technologie requiert des solutions permettant avec une technique simple appelée « pick-and-place » d'extraire des dispositifs présélectionnés pour les intégrer tout en préservant leurs performances.
La nouvelle technologie développée au sein de l'IRL GT-CNRS permet de répondre à ces exigences. Elle est basée sur un contrôle latéral de la couche h-BN, et ce, en utilisant des substrats de saphir sur lesquels un masque de SiO2 avec des motifs à l'échelle micrométrique ont été réalisé. Le but est d'épitaxier des dispositifs à base de GaN, par la technique Van Der Waals, d'une manière localisée. Après la partie process et fabrication des dispositifs, ces derniers peuvent être pris et placé individuellement sur un autre substrat sans découpe mécanique.
L'objectif final de ce projet est d'utiliser cette technologie dans le but de développer un procédé permettant une séparation mécanique applicable aux LEDs ultra minces (< 10 micron) à base d'InGaN qui peuvent être déplacées sur un substrat flexible.

Contexte de travail

Le candidat sélectionné travaillera sur les différents blocs technologiques, y compris la croissance des hétérostructures de nitrure III nécessaires à la fabrication de MicroLED.

Contraintes et risques

R.A.S.

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