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POSTDOC H/F: Structures nanométriques en silicium et germanium: fabrication et intégration pour application nanoélectronique

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : vendredi 23 octobre 2020

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Informations générales

Référence : UPR8001-PETWIE-003
Lieu de travail : TOULOUSE,TOULOUSE
Date de publication : vendredi 18 septembre 2020
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 18 mois
Date d'embauche prévue : 2 novembre 2020
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : entre 2648,79€ et 3050€ bruts mensuels selon expérience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

Le volume des données ainsi que les fonctionnalités pour l'informatique continuent d'augmenter, notamment pour les nouveaux paradigmes informatiques distribués pour l'Internet des Objets, tels que Edge Computing et Fog Computing. Les transistors verticaux à nanofil à grille entourante, actuellement en cours de développement, permettent une configuration d'intégration véritablement 3D afin de continuer la miniaturisation des dispositifs tout en bénéficiant des améliorations de l'efficacité énergétique.
Alors que la conception assistée par ordinateur (TCAD) est désormais indispensable en particulier pour les premiers stades de la recherche et du développement industriel, nous sommes confrontés à la situation selon laquelle les outils continus classiques perdent leur prédictivité lorsqu'ils se dirigent vers le nanomonde notamment avec des processus à très basse température requis pour l'intégration 3D séquentielle. Cela rend les modèles continus mal adaptés pour soutenir le développement technologique de dispositifs à l'échelle nanométrique, en particulier avec des nanostructures unidimensionnelles où une meilleure compréhension des phénomènes à l'échelle nanométrique doivent d'abord commencer par des cas de test expérimentaux. En raison de l'interaction entre (i) les interfaces en fonction de l'orientation du cristal, (ii) la distribution des contraintes à l'échelle nanométrique et (iii) le rapport surface / volume élevé, des études expérimentales détaillées doivent être menées pour améliorer la compréhension du système vertical à base de nanofils.

Pour pallier à l'état insuffisant des modèles et des outils pour une simulation prédictive du traitement à basse température de structures nanométriques de silicium et de germanium, des investigations expérimentales dédiées seront menées dans le cadre du projet H2020 MUNDFAB (https://www.mundfab.eu/).
La fabrication et l'intégration de nanofils Si et SiGe verticaux seront abordées en détail à travers des caractérisations physiques, électriques et chimiques afin d'avoir une meilleure compréhension des mécanismes de croissance et diffusion (oxydation, métal, chaleur dans le recuit laser) et dans un deuxième temps aux problèmes d'intégration relatifs aux dispositifs associés.

Activités

- Fabrication de nanostructures verticales à base de silicium et de germanium (nanofils) par approche top-down.
- Etudes expérimentales de la silicidation et de l'oxydation des nanostructures 1D à motifs.
- Caractérisation structurelle (SEM, FIB) et électrique
- Echange avec des spécialistes en microscopie haute résolution (HR-TEM + analyse chimique) et en modélisation pour une compréhension détaillée des mécanismes physiques sous-jacents.
- Développement de route technologique de transistors à effet de champ verticaux intégrant les nouveaux modules de procédés.

Compétences

- Doctorat en nanotechnologie, nanoélectronique (obtenu au cours des trois dernières années).
- Des démonstrations réussies de nanofabrication dans un environnement de salle blanche sont obligatoires et un goût prononcé de travail expérimental. La connaissance du traitement de lithographie par faisceau électronique est un plus.
- Capacité à écrire et à parler de manière fluide en anglais (rencontres internationales, rapports et échanges dans le cadre du projet européen).
- Bonne capacité de travail en équipe (interactions à prévoir avec les autres membres du consortium du projet ainsi qu'avec le personnel technique)

Contexte de travail

Fort d'un nombre important de chercheurs permanents, d'ingénieurs et de doctorants ainsi que de fortes interactions avec l'industrie, le LAAS-CNRS se situe à la croisée de la recherche scientifique, de l'innovation et des applications. Le LAAS-CNRS possède l'une des plus importantes installations technologiques dédiées à la recherche, avec une salle blanche ultra-moderne de 1600 m².
Le projet se déroulera principalement dans le laboratoire d'accueil à Toulouse, mais le chercheur post-doc travaillera dans un contexte de recherche internationale très stimulant dans le cadre d'un projet européen.

Informations complémentaires

Veuillez fournir un CV, une liste de publications, une déclaration d'intérêt pour le projet (une page) ainsi que 2-3 références avec numéro de téléphone et e-mail.

Démarrage dès que possible suivant les disponoibilités du candidat.

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