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H/F Chercheur contractuel en modèle multi phonons pour l'estimation du taux de génération thermique des niveaux d'énergie induits par les déplacements atomiques post irradiation dans le silicium

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Informations générales

Référence : UPR8001-ANNHEM-002
Lieu de travail : TOULOUSE
Date de publication : mardi 7 mai 2019
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 28 mai 2019
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : entre 2620 et 3730€ brut mensuels selon expérience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 5 à 10 années

Missions

Il est attendu que le chercheur interagisse activement avec les expérimentateurs pour le développement d'un modèle multi-phonons pour l'estimation du taux de génération thermique des niveaux d'énergie induits par les déplacements atomiques post irradiation dans le silicium.

Activités

- Etat de l'art sur les défauts (intrinsèques, dopants, contaminants) dans le Si, SiGe et Ge
- Extraire les données des calculs ab initio déjà existants au LAAS-CNRS
- Réaliser de nouveaux calculs ab initio si données manquantes
- Etat de l'art sur les méthodes SRH existantes
- Développement d'un modèle multi-phonons

Compétences

- Programmation
- Expérience des modèles TCAD, dans les modèles multi-niveaux
- Expérience des méthodes ab initio est un avantage (code Quantum Espresso). Des connaissances en GW sont un avantage supplémentaire
- Physique des semiconducteurs et impact des dopants contaminants sur les propriétés électroniques
- Sciences de la matière : défauts cristallins

Contexte de travail

Le travail se déroulera au LAAS-CNRS à Toulouse. Le chercheur recruté sera intégré dans l'Equipe M3, experte dans la modélisation multi-niveaux des matériaux

Contraintes et risques

aucune

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